[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201410680601.1 | 申请日: | 2014-11-24 |
公开(公告)号: | CN104393005A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 陈立强;孙韬;高涛;杨静;许晨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
近年来,显示器市场发展很快,尤其是平板显示领域,如LCD(液晶显示器),PDP(等离子体显示器),OLED(有机电致发光显示器)等,得到了越来越广泛的应用。
但是,液晶显示器、有机电致发光显示器的载体主要采用玻璃基板,玻璃基板具有脆性、易损坏等缺点,在要求便携化、轻薄化、质轻的移动显示设备领域以及大尺寸显示设备领域的应用上受到了限制。因此,近年来以柔性基板如塑料基板、金属箔片等代替玻璃基板制备的柔性显示器件受到了广泛关注,在未来显示领域也将有更广阔的发展空间。
有机柔性基板采用的材料主要包括PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等,这些材料具有较高的温度稳定性、尺寸稳定性和化学稳定性。PI是耐温等级最高的聚合物材料,且具有良好的化学稳定性和尺寸稳定性,是最有前途的柔性基板材料。
现有技术一般需要在PI基板上制备无机缓冲层(采用SiNx和SiO2等),用以缓冲PI表面的粗糙度,之后再在无机缓冲层上制备显示器件。但是由于PI的热膨胀系数与无机缓冲层相差较大(PI的热膨胀系数为16ppm/℃,SiNx和SiO2的热膨胀系数小于5ppm/℃),且无机缓冲层一般需要采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)高温制备,在高温下PI层会对无机缓冲层有较大的热应力(压应力),严重时甚至会使无机缓冲层破裂;另外,采用PECVD制备的无机缓冲层的本征应力也为较大的压应力,这样会使无机缓冲层更易破裂。
现有解决上述问题的方法是通过调整工艺参数,将与PI层接触的无机缓冲层的本征应力调整为拉应力,即将无机缓冲层制备成结构疏松的膜层,但是调整应力的过程比较复杂,并且膜层疏松不利于阻隔水汽,因此,现有技术并不能很好的解决无机缓冲层破裂的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够缓冲基板对无机缓冲层造成的热应力的作用,防止无机缓冲层破裂,并提升显示器件的显示效果。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种显示基板,包括:
形成在衬底基板上的缓冲金属层的图形;
位于形成有所述缓冲金属层的图形的衬底基板上的无机缓冲层;
位于所述无机缓冲层上的显示器件;
其中,所述缓冲金属层的热膨胀系数在所述无极缓冲层的热膨胀系数和所述基板的热膨胀系数之间。
进一步地,所述衬底基板为柔性基板。
进一步地,所述显示器件包括:
利用多晶硅层形成的有源层的图形;
栅绝缘层;
利用栅金属层形成的栅电极;
中间绝缘层;
利用源漏金属层形成的源电极和漏电极;
包括有第一过孔的钝化层;
利用透明导电层形成的像素电极,所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏电极连接。
进一步地,所述缓冲金属层的图形包括所述显示器件的第一电容的第一电极;
所述显示基板还包括:
利用掺杂或离子注入后的所述多晶硅层形成的所述显示器件的第一电容的第二电极。
进一步地,所述显示基板还包括:
利用掺杂或离子注入后的所述多晶硅层形成的所述显示器件的第二电容的第一电极;
利用栅金属层形成的所述显示器件的第二电容的第二电极。
进一步地,所述显示基板还包括:
贯穿所述钝化层、所述中间绝缘层、所述栅绝缘层和所述无机缓冲层的第二过孔;
利用透明导电层形成的通过所述第二过孔与所述第一电容的第一电极连接的信号引出线。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述的显示基板。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成缓冲金属层的图形;
在形成有所述缓冲金属层的图形的衬底基板上形成无机缓冲层;
在所述无机缓冲层上制备显示器件;
其中,所述缓冲金属层的热膨胀系数在所述无极缓冲层的热膨胀系数和所述基板的热膨胀系数之间。
进一步地,所述在衬底基板上形成缓冲金属层的图形之前还包括:
对所述衬底基板的表面进行等离子体轰击;或
对所述衬底基板的表面进行金属离子注入。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的