[发明专利]形成器件图案的方法

权利要求书

1.一种用于形成器件图案的方法，包括：

定义要在器件层中创建的器件图案；

在所述器件层上形成牺牲层；

识别压印模具，该压印模具在沿着其高度的一个位置具有代表所述器件图案的水平截面形状；

将所述压印模具均匀地推挤到所述牺牲层中，直至所述压印模具的至少所述位置到达正在由所述压印模具推挤的所述牺牲层内的一水平面；

将所述压印模具从所述牺牲层移除；

在由所述压印模具在所述牺牲层中创建的凹槽中形成硬掩模，所述硬掩模具有代表所述器件图案的图案；以及

将所述硬掩模的所述图案转移到下面的所述器件层中，

其中所述压印模具具有第一组销钉和第二组销钉，并且其中当所述压印模具被均匀地推挤到所述牺牲层中时，所述第二组销钉不接触所述牺牲层。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述牺牲层包括：形成一层材料，所述材料是从包括硅氧烷共聚物、热固化液体抗蚀剂、UV固化液体抗蚀剂、密封空气Nexcel和收缩膜955D的组中选择的。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述硬掩模包括：

通过原子层沉积(ALD)处理将一层氮化硅沉积在所述牺牲层和所述牺牲层中的凹槽上；以及

对沉积的氮化硅向下进行抛光，并且随后对所述牺牲层的一部分向下进行抛光，直至通过所述抛光创建的顶表面到达所述牺牲层内的所述水平面，通过使用所述牺牲层内的所述氮化硅的剩余部分来创建所述硬掩模。

4.如权利要求3所述的方法，其中转移所述硬掩模的所述图案包括：

对所述牺牲层的不具有嵌入在其上的所述硬掩模的部分进行定向蚀刻以露出下面的所述器件层的对应部分；

继续对所述器件层的露出部分进行蚀刻，直至到达所述器件层中的预定深度；以及

去除所述器件层上的所述牺牲层的剩余部分。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述凹槽中形成所述硬掩模之前，冷却所述牺牲层以使所述牺牲层收缩，由此导致所述凹槽的间距减小。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述凹槽中形成所述硬掩模之前，加热所述牺牲层以使所述牺牲层膨胀，由此导致所述凹槽的间距扩大。

7.如权利要求1所述的方法，其中将所述压印模具推挤到所述牺牲层中包括：在所述压印模具不接触所述牺牲层的地方，引起所述牺牲层的高度上升。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述器件层是半导体基底。

9.一种用于形成器件图案的方法，包括：

在器件层上形成牺牲层；

将压印模具均匀地推挤到所述牺牲层中，所述压印模具在沿着其高度的一个位置具有代表器件图案的水平截面形状；

继续将所述压印模具推挤到所述牺牲层中，直至所述压印模具的至少所述位置到达所述牺牲层的顶表面；

将所述压印模具从所述牺牲层移除；

在由所述压印模具在所述牺牲层内创建的凹槽中形成硬掩模，所述硬掩模具有与所述器件图案匹配的图案；以及

将所述硬掩模的所述图案转移到下面的所述器件层中，

其中所述压印模具具有多个销钉，并且其中当所述压印模具被均匀地推挤到所述牺牲层中时，所述多个销钉中的一些未被推挤到所述牺牲层中。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成所述牺牲层包括：沉积一层材料，所述材料是硅氧烷共聚物、热固化液体抗蚀剂、UV固化液体抗蚀剂、密封空气Nexcel或收缩膜955D。

11.如权利要求9所述的方法，其中在所述凹槽中形成所述硬掩模包括：

通过原子层沉积(ALD)处理将一层氮化硅沉积在所述牺牲层中的所述凹槽上并且沉积在所述牺牲层上；以及

通过化学机械抛光(CMP)处理去除沉积的氮化硅的一部分，直至露出所述牺牲层的至少所述顶表面，仅在所述凹槽内留下形成所述硬掩模的沉积的氮化硅。