[发明专利]一种硅基薄膜叠层太阳电池隧穿反射层的制备方法

权利要求书

1.一种硅基薄膜叠层太阳电池隧穿反射层的制备方法，其特征是：“采用已制备好的子电池基底，对其进行清洗处理；以高纯石英靶为靶材，用射频电源溅射一层硅氧薄膜；抽真空除氧后，以金属铝靶为靶材，在硅氧薄膜层上溅射一层铝膜；以高纯石英靶为靶材，再在金属铝膜上溅射一层硅氧薄膜；将制备好的薄膜放入快速退火炉中退火”。

2.根据权利要求1中所述的子电池基底，其特征在于可以是基于玻璃衬底的非晶硅顶电池基底，也可以是基于柔性衬底的微晶硅底电池基底。

3.根据权利要求1中所述的硅氧薄膜，其特征在于以高纯石英靶为靶材，通过控制射频功率、反应气体流量及溅射时间，制备成30~50nm厚的SiO_x(1<x<2)。

4.根据权利要求1中所述的铝膜，其特征在于先抽真空除去溅射腔室内残留的氧气，以金属铝靶为靶材，通过控制脉冲功率、反应气体流量及溅射时间，制备成15~30nm厚的Al薄膜。

5.根据权利要求1中所述的退火，其特征在于在RTP快速退火炉中，N₂气氛下500~600℃快速退火20min。