[发明专利]磁场装置及具有该磁场装置的单晶生长设备

权利要求书

1.磁场装置，用于在单晶炉(1)中产生磁场，所述磁场装置套设于所 述单晶炉(1)外，其特征在于：所述磁场装置包括磁体(21)和内导磁板 (22)，所述内导磁板(22)位于所述单晶炉(1)和磁体(21)之间，且与 单晶炉(1)的外炉筒壁相接触。

2.如权利要求1所述的磁场装置，其特征在于，所述内导磁板(22)与 单晶炉(1)的外炉筒壁贴合接触。

3.如权利要求2所述的磁场装置，其特征在于，所述磁场装置具有取光 孔(26)，所述取光孔(26)连通所述单晶炉(1)以及所述磁场装置远离所 述单晶炉(1)的另一侧。

4.如权利要求3所述的磁场装置，其特征在于，所述磁场装置还包括外 导磁板(23)，所述外导磁板(23)位于所述磁体(21)远离所述内导磁板 (22)的一侧，所述取光孔(26)依次贯穿所述外导磁板(23)、磁体(21) 以及内导磁板(22)。

5.如权利要求4所述的磁场装置，其特征在于，所述磁场装置还包括上 磁轭(24)和下磁轭(25)，所述上磁轭(24)和下磁轭(25)均连接于所 述内导磁板(22)和外导磁板(23)之间、且分别位于所述磁体(21)的两 端，所述内导磁板(22)、外导磁板(23)、上磁轭(24)以及下磁轭(25) 共同围合成一个收容空间，所述磁体(21)位于所述收容空间内。

6.如权利要求5所述的磁场装置，其特征在于，所述磁场装置还包括支 撑体(27)，所述支撑体(27)突出于单晶炉(1)并支撑所述磁体(21)。

7.具有该磁场装置的单晶生长设备，其特征在于，包括单晶炉(1)和 如权利要求1-6任一项所述的磁场装置。

8.如权利要求7所述的单晶生长设备，其特征在于，所述单晶炉(1) 具有外炉筒壁(12)，所述内导磁板(22)与单晶炉(1)的外炉筒壁(12) 贴合接触。

9.如权利要求7所述的单晶生长设备，其特征在于，所述单晶炉(1) 具有通孔(14)，所述磁场装置具有连通所述单晶炉(1)以及所述磁场装置 远离所述单晶炉(1)一侧的取光孔(26)，所述取光孔(26)与所述通孔(14) 相连通。

10.如权利要求9所述的单晶生长设备，其特征在于，所述磁场装置还 包括外导磁板(23)，所述外导磁板(23)位于所述磁体(21)远离所述内 导磁板(22)的一侧，所述取光孔(26)依次穿过所述内导磁板(22)、磁 体(21)以及外导磁板(23)。