[发明专利]一种箭叶淫羊藿越冬芽快速繁殖方法有效
申请号: | 201410682416.6 | 申请日: | 2014-11-24 |
公开(公告)号: | CN104472355A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 王瑛;吕海燕;黄文俊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院武汉植物园 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人: | 王敏锋 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 淫羊藿 越冬 快速 繁殖 方法 | ||
1.一种箭叶淫羊藿越冬芽快速繁殖方法,包括以下步骤:
1)外植体消毒:取淫羊藿当年秋季形成的分蘖芽即越冬芽;
2)愈伤组织诱导:芽体消毒后,切去外层苞片,内部初始分化的芽体切成0.5cm×0.5cm小块,置于愈伤组织诱导培养基上,愈伤组织诱导培养基配方为:MS+2.0 mg/L BA+4.0 mg/L 2,4-D+1.0 mg/L IBA+3%蔗糖+0.8%琼脂,pH值调至6.0;1500~2500lux光照强度下,14h/天的光照进行培养,培养温度24~26℃;20天更换新培养基,培养基保持原配方不变,形成愈伤组织;
芽的再生培养:将愈伤组织置于芽分化培养基:MS+1.0 mg/L BA+1.0 mg/L IBA+3%蔗糖+0.8%琼脂,pH值调至6.0,进行芽的再生培养;1500~2500lux光照强度下,14h/天的光照进行培养,培养温度24~26℃,再生出芽;
4)芽的增殖培养:将再生的高2-3cm的植株单棵切下,置于芽的分化培养基MS+1.0 mg/L BA+1.0 mg/L IBA+3%蔗糖+0.8%琼脂的培养基上进行芽增殖培养,pH值调至6.0;1500~2500lux光照强度下,14h/天的光照进行培养,培养温度24~26℃,形成丛生芽;
5)生根培养:切取丛生芽单个芽体,芽体高2-3cm,置于生根培养基中进行生根培养,生根培养基配方为:MS+0.5g/L 活性炭+3%蔗糖+0.8%琼脂,培养基pH值调至6.0;1500~2500lux光照强度下,14h/天的光照进行培养,培养温度24~26℃,形成白色须根。
2.根据权利要求1所述的方法,所述的越冬芽为箭叶淫羊藿每年秋季至次年初春地下部分形成的分蘖芽。
3.根据权利要求1所述的方法,步骤1)中外植体消毒的步骤具体为:将越冬芽表面刷洗干净,再于流水下冲洗30min~90min,晾干至芽体表面没有水渍,无菌条件下,将晾干的越冬芽置于灭过菌的广口瓶中,用75%的酒精溶液浸泡40s,倒掉酒精,再用0.1%的升汞溶液浸泡消毒10min~20min,消毒期间不断摇晃广口瓶以保证消毒过程的均匀彻底;然后取出芽体置于另一灭过菌的广口瓶中用无菌水清洗6-8遍,得到接种材料。
4.根据权利要求1所述的方法,步骤3)中是先将步骤2)中形成的愈伤组织继代三次后再进行芽的再生培养,继代培养基配方为MS+2.0 mg/L BA+4.0 mg/L 2,4-D+1.0 mg/L IBA+3%蔗糖+0.8%琼脂,pH值调至6.0,1500lux~2500lux光照强度下,14h/天的光照进行培养,培养温度24~26℃,20天继代一次。
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