[发明专利]数据处理方法及装置在审
申请号: | 201410682651.3 | 申请日: | 2014-11-24 |
公开(公告)号: | CN105607861A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 桑庆双 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;梁丽超 |
地址: | 518057 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据处理 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及通信领域,具体而言,涉及一种数据处理方法及装置。
背景技术
随着闪存存储技术的发展,闪存已经广泛应用于各种移动设备、个人计算机 (PersonalComputer,简称为PC)和服务器中,作为一种完全不同于磁盘的新 型存储介质,闪存具有非易失性、低延迟、高并发、低能耗、体积小、抗震性等 特性。
闪存的一种限制在于即使它可以以单一字节的方式读或写入,但是擦除一定 是一整个区块。一般来说都是设置某一区中的所有比特为“1”,刚开始区块内 的所有部分都可以写入,然而当有任何一个比特被设为“0”时,就只能借由清 除整个区块来恢复“1”的状态。换句话说闪存能提供随机读取与写入操作,却 无法提供任意的随机改写。
闪存存储系统普遍存在写性能较差,读写速度上存在较大的不对称性的问题, 这些问题是闪存存储系统广泛应用的主要障碍。
CN102880432A专利公开了一种利用数据有限寿命提高闪存芯片写入速度 的方法;CN102915211A专利公开了一种提高闪存芯片写入速度的方法,其中 每一闪存芯片封装体内设有闪存芯片和加热芯片,且每一闪存芯片具有多个存储 单元,该方法包括:在编程/擦除闪存芯片的存储单元之后检测所述存储单元的噪 音容限;当所述闪存芯片的存储单元的噪音容限过差以致无法保证当前的数据写 入速度时,启动所述闪存芯片封装体内的加热芯片以对所述闪存芯片进行修复。 但是采用上述技术均无法很好的解决相关技术中存在的闪存存储器的写入速率 慢的问题。
针对相关技术中存在的闪存存储器的写入速率慢的问题,目前尚未提出有效 的解决方案。
发明内容
本发明提供了一种数据处理方法及装置,以至少解决相关技术中存在的闪存 存储器的写入速率慢的问题。
根据本发明的一个方面,提供了一种数据处理方法,包括:将闪存中存储的 数据与待写入所述闪存的待写入数据进行分块比较;根据比较结果对所述待写入 数据进行写入处理。
进一步地,将所述闪存中存储的数据与待写入所述闪存的数据进行分块比较 包括:以按位比较的方式将所述闪存中存储的数据与待写入所述闪存的数据进行 分块比较。
进一步地,根据比较结果对所述待写入数据进行写入处理包括:当所述比较 结果为所述待写入数据与所述闪存中存储的数据完全相等时,放弃写入所述待写 入数据。
进一步地,根据比较结果对所述待写入数据进行写入处理包括:当所述比较 结果为所述待写入数据与所述闪存中存储的数据按位与的结果与所述待写入数 据完全相等时,将所述待写入数据写入所述闪存的对应分块区域中。
进一步地,根据比较结果对所述待写入数据进行写入处理包括:当所述比较 结果为所述待写入数据与所述闪存中存储的数据按位与的结果与所述待写入数 据不完全相等时,擦除所述闪存的对应分块区域中存储的数据;将所述待写入数 据写入所述闪存的对应分块区域中。
根据本发明的另一方面,提供了一种数据处理装置,包括:比较模块,用于 将闪存中存储的数据与待写入所述闪存的待写入数据进行分块比较;处理模块, 用于根据比较结果对所述待写入数据进行写入处理。
进一步地,所述比较模块包括:以按位比较的方式将所述闪存中存储的数据 与待写入所述闪存的数据进行比较。
进一步地,所述处理模块包括:放弃单元,用于当所述比较结果为所述待写 入数据与所述闪存中存储的数据完全相等时,放弃写入所述待写入数据。
进一步地,所述处理模块包括:第一写入单元,用于当所述比较结果为所述 待写入数据与所述闪存中存储的数据按位与的结果与所述待写入数据完全相等 时,将所述待写入数据写入所述闪存的对应分块区域中。
进一步地,所述处理模块包括:擦除单元,用于当所述比较结果为所述待写 入数据与所述闪存中存储的数据按位与的结果与所述待写入数据不完全相等时, 擦除所述闪存的对应分块区域中存储的数据;第二写入单元,用于将所述待写入 数据写入所述闪存的对应分块区域中。
通过本发明,采用将闪存中存储的数据与待写入所述闪存的待写入数据进行 分块比较;根据比较结果对所述待写入数据进行写入处理,解决了相关技术中存 在的闪存存储器的写入速率慢的问题,进而达到了提高闪存存储器的写入速率的 效果。
附图说明
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