[发明专利]一种真彩色全息图案及其制备方法

权利要求书

1.一种真彩色全息图案的制作方法，用于包装领域的防伪，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)版图设计，按真彩色定义的光栅结构设计版图；

(2)清洗硅片，在硅片上旋涂电子抗蚀胶；

(3)通过电子束光刻工艺在电子抗蚀胶上形成步骤(1)中设计的光栅结构；

(4)采用干法刻蚀将光栅结构转移到硅片上，去除电子抗蚀胶得到有光栅结构的硅片；

(5)采用纳米压印工艺将光栅结构转移到聚合物薄膜上；

(6)采用磁控溅射工艺在聚合物薄膜的光栅结构上溅射高折射率材料；

(7)在高折射率材料的结构上涂敷聚合物形成保护层；所述步骤(1)中根据光栅衍射理论或导模共振效应设计反射式滤波器，得到红光650nm，绿光540nm，蓝光470nm三基色的滤波器，即单色点，通过对三个单色点不同比例组合形成真彩色像素点，实现光栅结构与CIE色域的一一对应，通过光栅周期和方位角控制特定观察角度下的衍射效率，从而实现三色的有机组合；反射光主要是零级衍射光由导模共振效应实现。

2.根据权利要求1所述的真彩色全息图案的制作方法，其特征在于，所述步骤(2)中采用正性电子抗蚀胶或者负性电子抗蚀胶。

3.根据权利要求1或2所述的真彩色全息图案的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中的干法刻蚀采用CCl₄、BCl₃、CHF₃或CFCl₂为蚀刻气体，采用反应离子刻蚀RIE、电感耦合等离子ICP刻蚀或者电子回旋ECR刻蚀方法。

4.根据权利要求1或2所述的真彩色全息图案的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中硅片上的光栅像素点阵可由红黄蓝三种单色点光栅结构的比例控制。

5.根据权利要求1或2所述的真彩色全息图案的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中硅片上的光栅周期为200nm～2200nm，光栅高度为30nm～1000nm，占空比为0.1～0.9。

6.根据权利要求5所述的真彩色全息图案的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中硅片上的光栅周期为300nm～600nm或800nm～1400nm，光栅高度为60nm～200nm，占空比为0.3～0.7。

7.根据权利要求1或2所述的真彩色全息图案的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)和(7)中的聚合物薄膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯(PE)或聚氯乙烯(PVC)材料。

8.根据权利要求1或2所述的真彩色全息图案的制作方法，其特征在于，所述步骤(6)中的高折射率材料可使用折射率为1.7-3.5的化合物，包括氮化硅(Si₃N₄)、硫化锌(ZnS)、二氧化钛(TiO₂)，溅射工艺后形成的镀膜厚度为50nm～1000nm。

9.按照权利要求1至6任意一项权利要求所述的制作 方法制备得到的真彩色全息图案。