[发明专利]一种新型阻变随机存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种阻变随机存储器的制造方法，包括：

提供具有绝缘表面的衬底；

在衬底上形成栅电极；

形成覆盖栅电极的栅氧化层；

在栅氧化层上形成图案化的源极和漏极；

形成石墨烯图案，其覆盖源极和漏极；

形成掩膜图案，其覆盖源极、部分漏极以及源极和漏极之间的部分，且暴露出漏极上的部分石墨烯图案；

对暴露的位于漏极上的石墨烯层进行氧化工艺，在漏极的暴露部分形成石墨烯氧化物层；

去除掩膜图案；

形成有源层，且覆盖源极和部分漏极上的石墨烯图案，而暴露部分漏极上的石墨烯氧化物图案；

在衬底上形成覆盖源极、漏极、有源层以及石墨烯氧化物层的层间绝缘层；

在层间绝缘层上形成通孔，其暴露石墨烯氧化物层；

在通孔中、暴露石墨烯氧化物层表面形成上电极；

填充剩余的通孔。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中衬底为绝缘材料。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中，有源层的材料为石墨烯。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中源极和漏极的材料为Cu、W、Ni、Zr、Ta、Ti、Zn、Al、TaN、TiN、ITO或AZO中的一种。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中上电极的材料为Pd、Ta、Ti、TaN、TiN、Cu、Al、Pt、W、Ni、Ru、Ru-Ta合金、Pt-Ti合金、Ni-Ta合金的至少一种或至少两者的复合层。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中填充材料为Cu。

7.如权利要求1所述的制造方法，其中对石墨烯的氧化工艺为远程等离子体氧化（RPO）工艺。

8.如权利要求1所述的制造方法，其中在形成层间绝缘层前，还形成覆盖有源层的绝缘保护层。