[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410688132.8 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104681598B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 有金刚;冈田大介;久本大 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/11568;H01L29/792;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
第一栅极电极，布置在所述半导体衬底之上；
第二栅极电极，布置在所述半导体衬底之上以便与所述第一栅极电极相邻；
第一绝缘膜，形成在所述第一栅极电极与所述半导体衬底之间；
第二绝缘膜，形成为使得所述第二绝缘膜从所述第二栅极电极与所述半导体衬底之间延伸到所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间，所述第二绝缘膜具有电荷积累部；以及
第三绝缘膜，形成为使得所述第三绝缘膜从所述第一栅极电极与所述第一绝缘膜之间延伸到所述第一栅极电极与所述第二绝缘膜之间，
其中所述第三绝缘膜覆盖第二栅极电极侧的所述第一栅极电极的下部的角部，
其中所述第一绝缘膜包括氧化硅膜，以及
其中所述第三绝缘膜具有比氮化硅膜的介电常数更高的介电常数。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第二栅极电极部以侧壁形状经由所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜位于所述第一栅极电极部的一侧上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第一栅极电极包括金属化合物膜，
其中所述金属化合物膜位于所述第一栅极电极与所述第三绝缘膜之间，以及
其中所述金属化合物膜从所述第一栅极电极与所述半导体衬底之间的位置延伸到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之间的位置。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第一栅极电极包括硅膜。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第一栅极电极包括金属膜或金属化合物膜。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第二栅极电极包括硅膜。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第二栅极电极部包括金属膜或金属化合物膜。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述半导体衬底在所述半导体衬底的第一区域中具有第一元件，所述第一元件具有所述第一栅极电极、所述第二栅极电极、所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜，
其中所述半导体衬底在所述半导体衬底的第二区域中具有第二元件，所述第二元件具有第三栅极电极和源极/漏极区域，所述第三栅极电极经由第四绝缘膜和第五绝缘膜布置在所述半导体衬底之上，所述源极/漏极区域形成在所述第三栅极电极的两侧的所述半导体衬底中，
其中所述第五绝缘膜具有比氮化硅膜的介电常数更高的介电常数，以及
其中所述第三栅极电极包括金属化合物或金属化合物膜。
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