[发明专利]具有减小的通向电压的肖特基二极管

权利要求书

1.半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体本体；

在半导体本体处的金属层，其中金属层与半导体本体一起沿着接触面构成肖特基接触，其中在接触面处第一导电类型的掺杂浓度沿着接触面的方向变化。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中在接触面处第一导电类型的掺杂浓度沿着接触面的方向变化，使得在接触面处构成至少一个较高掺杂的区域，其具有比半导体器件的漂移区段较高的掺杂。

3.根据权利要求1或2的半导体器件，其中在接触面处第一导电类型的掺杂浓度沿着接触面的方向分等级地变化。

4.根据权利要求1或2的半导体器件，其中在接触面处第一导电类型的掺杂浓度沿着接触面的方向连续变化。

5.根据前述权利要求之一的半导体器件，其中在接触面处第一导电类型的掺杂浓度沿着接触面的方向变化，使得在接触面处构成大量较高掺杂的区域，所述较高掺杂的区域具有比半导体器件的漂移区段较高的掺杂。

6.根据权利要求3的半导体器件，其中在较高掺杂的区域中的至少两个之间，接触面具有基本上与半导体本体的漂移区的掺杂浓度相对应的掺杂浓度。

7.根据权利要求2至6之一的半导体器件，其中至少一个较高掺杂的区域具有在垂直于接触面的方向上大约1μm或更小的深度。

8.根据权利要求2至6之一的半导体器件，其中半导体本体包括碳化硅（SiC）并且其中至少一个较高掺杂的区域具有在垂直于接触面的方向上大约100nm或更小的深度。

9.根据前述权利要求之一的半导体器件，此外在接触面处包括第二导电类型的至少一个区带。

10.根据权利要求9的半导体器件，其中第二导电类型的区带在垂直于接触面的方向上具有比至少一个较高掺杂的区域更大的深度。

11.根据权利要求9或10的半导体器件，其中至少一个较高掺杂的区域布置在第二导电类型的两个区带之间的中间空间中并且至少一个较高掺杂的区域的横向伸展包括小于1/3的中间空间。

12.根据前述权利要求之一的半导体器件，此外包括第二导电类型的至少一个掩埋的区带，该区带掩埋在半导体本体中。

13.根据前述权利要求之一的半导体器件，其中用于构造肖特基接触的金属层包括来自Au、Pt、Cu、Ni、Ti、TiW、Mo、Ti_xN_y、Mo_xN_y、Pd、Mn、Al、Ag中的至少一种。

14.半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体本体；

在半导体本体处的金属层，其中金属层与半导体本体一起沿着接触面构成肖特基接触，

在接触面处第二导电类型的至少一个区域，和

在接触面处的具有提高的掺杂浓度的区域，在其处第一导电类型的掺杂浓度高于半导体本体的掺杂浓度。

15.根据权利要求14的半导体器件，其中第二导电类型的区域和在接触面处的区域，在其处第一导电类型的掺杂浓度高于半导体本体的掺杂浓度。

16.根据权利要求14或15的半导体器件，其中在接触面处第一导电类型的掺杂浓度沿着接触面的方向变化，使得在接触面处构成至少一个较高掺杂的区域，其具有比半导体器件的漂移区段较高的掺杂。

17.根据权利要求14至16之一的半导体器件，其中在接触面处第一导电类型的掺杂浓度沿着接触面的方向分等级地变化。

18.根据权利要求14至16之一的半导体器件，其中在接触面处第一导电类型的掺杂浓度沿着接触面的方向连续变化。

19.根据权利要求14至18之一的半导体器件，其中用于构造肖特基接触的金属层包括来自Au、Pt、Cu、Ni、Ti、TiW、Mo、Ti_xN_y、Mo_xN_y、Pd、Mn、Al、Ag中的至少一种。