[发明专利]半导体器件封装

说明书

技术领域

该发明大体上涉及半导体器件封装的技术，并且特别地涉及将密封主体划分成多个半导体器件封装的技术。

背景技术

半导体器件制造商正不断地力求增加其产品的性能，同时降低其制造的成本。在半导体器件封装的制造中的成本密集区域是封装半导体芯片。半导体器件封装以及以低开支和高产量制造半导体器件封装的方法是所期望的。

附图说明

附图被包含以提供实施例的进一步理解并且被结合在该说明书中且构成该说明书的一部分。附图图解了实施例并且与描述一起用来解释实施例的原理。其它实施例和实施例的许多预期的优点将被容易地意识到，因为它们通过参考下面详细的描述变得更好理解。附图的元件不必相对彼此成比例。相同的参考数字指示对应的相同部件。

图1示意性地图解了包含多个半导体芯片的示范性密封主体的平面视图。

图2A和2B分别示意性地图解了在激光烧蚀前包含示范性密封主体的示范性层堆叠的部分的平面视图和沿着图1的线A-A的横截面视图。

图3A和3B分别示意性地图解了在激光烧蚀期间图2A-B的层堆叠的部分的横截面视图和平面视图。

图4A和4B分别示意性地图解了在划片期间图3A-B的层堆叠的部分的横截面视图和平面视图。

图5A和5B分别示意性地图解了在划片后图4A-B的层堆叠的部分的横截面视图和平面视图。

图6A和6B分别示意性地图解了在激光烧蚀期间图2A-B的层堆叠的部分的横截面视图和平面视图。

图7A和7B分别示意性地图解了在激光烧蚀期间包含示范性密封主体的示范性层堆叠的部分的横截面视图和平面视图。

图8A和8B分别示意性地图解了在激光烧蚀前包含示范性密封主体的示范性层堆叠的部分的平面视图和沿着图1的线B-B的横截面视图。

图9A和9B示意性地图解了用来加工包括半导体芯片的阵列的密封主体的方法的示范性实施例。

图10A到10C示意性地图解了用来将金属层和/或有机层以及电再分布结构施加到图9A-B的密封主体的方法的一个示范性实施例。

图11A示意性地图解了示范性半导体器件封装的横截面视图并且图11B示意性地图解了示范性半导体器件封装的图11A的来自方向C的平面视图。

图12A示意性地图解了示范性半导体器件封装的横截面视图并且图12B示意性地图解了示范性半导体器件封装的图12A的来自方向C的平面视图。

图13示意性图解了半导体器件封装和/或示范性层堆叠的部分的横截面视图。

图14示意性地图解了激光加工包括含有多个半导体芯片的密封主体的层堆叠的方法的示范性实施例，由此激光加工包括激光标记和激光刻槽。

具体实施方式

在下面详细的描述中对形成其一部分的附图做参考，并且在其中通过图解的方式示出了在其中可以实践本发明的特定实施例。在这点上，方向性的术语，诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“上”、“下”等参考正被描述的（一个或多个）图的定向而被使用。因为实施例的组件能够被定位在多个不同的定向上，方向性的术语为了图解的目的而被使用并且绝不是限制的。要被理解的是其它实施例可以被利用并且可以进行结构的或逻辑的改变而没有脱离本发明的范围。下面详细的描述，因此不是进行限制的意义，并且本发明的范围被所附的权利要求限定。

要被理解的是本文描述的各种示范性实施例的特征可以彼此组合，除非另外特定地指出。

如在该说明书中采用，术语“键合的”、“附连的”、“连接的”、“耦合的”和/或“电连接的/电耦合的”不打算表示元件或层必须被直接地接触在一起，居间元件或层可以在“键合的”、“附连的”、“连接的”、“耦合的”和/或“电连接的/电耦合的”元件之间分别被提供。然而，依据公开内容，以上提及的术语也可以可选地具有特定的含义：元件或层被直接地接触在一起，即没有居间元件或层在“键合的”、“附连的”、“连接的”、“耦合的”和/或“电连接的/电耦合的”元件之间分别被提供。

此外，关于“在表面之上”形成或设置的材料层所使用的词“在...之上”本文可以被用来表示材料层被“直接地设置（例如形成、淀积等）在暗示的表面之上”，例如与暗示的表面直接接触。关于“在表面之上”形成或设置的材料层所使用的词“在...之上”本文可以被用来表示材料层被“间接地设置（例如形成、淀积等）在暗示的表面之上”，其中一个或多个附加的层被布置在暗示的表面和材料层之间。