[发明专利]一种低热导CuSbS2+X热电材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410689801.3 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104477991A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张波萍;李和章;李少通;周楷;朱立峰;张代兵 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01G30/00 | 分类号： | C01G30/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低热 cusbs sub 热电 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低热导CuSbS2+x热电材料的制备方法，其特征是：将Cu、Sb和S按照化学量比CuSbS2+x配置，其中x取值范围为0≤x≤1；通过机械合金法合成CuSbS2+x化合物前驱粉体，粉体晶粒尺寸为10~100nm；将前驱粉体经放电等离子烧结成块体，晶粒尺寸为0.2~2μm；300~500℃测试时，样品取得低热导率为0.05~0.3Wm-1K-1。
2.按照权利要求1所述低热导CuSbS2+x热电材料的制备方法，其特征在于：按化学计量比称取质量百分数≥99.5%的Cu、Sb、S单质粉体，在5%H2+95%Ar保护下，以球料比20:1、干磨转数为425rpm球磨10h，湿磨转速为300 rpm，时间为1 h，制备出晶粒尺寸为10~100nm 的CuSbS2+x粉体；CuSbS2+x粉体通过放电等离子快速烧结技术，在压力50~100MPa，温度400~500℃下保温1~20min，制备出晶粒尺寸为0.2~2μm的CuSbS2+x块体。
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