[发明专利]半导体芯片台面结构及其保护方法

权利要求书

1.一种半导体芯片台面结构，其特征在于，包括：覆盖在所述半导体芯片边缘表面的钝化层（4），所述钝化层（4）为所述半导体芯片在经过类金刚石膜沉积处理后，放置于200℃至350℃的环境中，并且在惰性气体氛围中进行退火处理后生成，以减小所述半导体芯片的漏电流。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片台面，其特征在于：所述类金刚石膜沉积处理的沉积速率为10～300nm/min。

3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片台面结构，其特征在于：所述惰性气体氛围采用包括H₂、N₂、He在内的任意一种惰性气体。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片台面结构，其特征在于：所述钝化层（4）的类金刚石膜的厚度为0.01um～1um。

5.根据权利要求1、2、4中任一项所述的半导体芯片台面结构，其特征在于：所述半导体芯片在200℃至350℃的环境中，并且在惰性气体氛围下进行退火处理的时间为20min～8hour。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片台面结构，其特征在于：在所述钝化层（4）的外表面设置有保护层（5），所述保护层（5）进一步采用保护橡胶或保护漆。

7.根据权利要求1、2、4、6中任一项所述的半导体芯片台面结构，其特征在于：所述类金刚石膜沉积处理使用气态碳氢化合物或所述气态碳氢化合物与氢气的混合物作为原料，通过PECVD工艺生成富含H元素或H离子的类金刚石膜；所述H元素或H离子以非定型方式分布于所述类金刚石膜的C原子网络中；经过退火处理，所述半导体芯片边缘表面的悬挂键被富含H离子的类金刚石膜中和，通过减少半导体芯片边缘的表面复合中心，减小所述半导体芯片边缘的表面漏电流。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片台面结构，其特征在于：所述半导体芯片的台面终端结构包括但不限于台面正角、台面负角、场限环中的任意一种结构。

9.根据权利要求1、2、4、6、8中任一项所述的半导体芯片台面结构，其特征在于：所述半导体芯片包括但不限于二极管、晶闸管、三极管、MOS、IGBT中的任意一种芯片。

10.一种半导体芯片台面保护方法，其特征在于，包括以下步骤：

S101：对所述半导体芯片的边缘表面进行类金刚石膜沉积处理，形成类金刚石膜结构的钝化层（4）；

S102：将经过沉积处理的所述半导体芯片放置于200℃至350℃的环境中，并且在惰性气体氛围下进行退火处理，以进一步减小所述半导体芯片的漏电流。

11.根据权利要求10所述的半导体芯片台面保护方法，其特征在于，所述步骤S101进一步包括：使用气态碳氢化合物或所述气态碳氢化合物与氢气的混合物作为原料，通过PECVD工艺在所述半导体芯片的边缘表面沉积富含H元素或H离子的类金刚石膜，形成所述钝化层（4）。

12.根据权利要求11所述的半导体芯片台面保护方法，其特征在于：经过所述步骤S102的退火处理，所述半导体芯片边缘表面的悬挂键被富含H离子的类金刚石膜中和，通过减少半导体芯片边缘的表面复合中心，减小所述半导体芯片边缘的表面漏电流。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体芯片台面保护方法，其特征在于：在步骤S101中，所述类金刚石膜的沉积速率为10～300nm/min。

14.根据权利要求13所述的半导体芯片台面保护方法，其特征在于：在步骤S102中，惰性气体氛围包括但不限于H₂、N₂、He中的任意一种气体氛围。

15.根据权利要求10、11、12、14中任一项所述的半导体芯片台面保护方法，其特征在于：在步骤S102中，所述半导体芯片进行退火处理的时间为20min～8hour。

16.根据权利要求15所述的半导体芯片台面保护方法，其特征在于，所述保护方法进一步包括步骤S103，该步骤包括：

在所述半导体芯片经过退火处理后，在所述钝化层（4）的外表面设置保护层（5），所述设置保护层（5）的过程包括涂覆保护橡胶或保护漆。