[发明专利]一种自动检测晶片基底二维形貌的装置

权利要求书

1.一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，包括第一运算模块、第二运算模块和分析模块，

所述第一运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率C_X，

所述第二运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率C_Y，

其中，N为3以上的自然数，所述N个光斑是由N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与所述入射光一一对应的PSD上形成的，

所述分析模块根据各所述C_X、C_Y的计算结果，得到基底的二维形貌；

其特征在于，

还包括N个PSD，N束激光和第一分光元件，所述N束激光沿直线排布，其中，所述N为3以上的自然数，所述N个PSD与N束激光一一对应，

所述N束激光首先射向所述第一分光元件，经过所述第一分光元件后形成入射光，入射到晶片基底上，并在晶片基底上沿径向形成N个入射点，所述入射光被所述基底反射后形成N束第一种反射光束，所述各第一种反射光束经过所述第一分光元件后，入射到与所述N束激光相对应的PSD上，形成N个光斑；

所述N束激光由一个多路激光发射装置发出；

其中，

x₁₀，激光射到平面反射面后又反射到PSD_A上形成的光斑的横坐标；

x₂₀，激光射到平面反射面后又反射到PSD_B上形成的光斑的横坐标；

x₁₁，第一种反射光束经过第一分光元件透射后投射到PSD_A上形成的光斑的横坐标；

x₂₁，第一种反射光束经过第一分光元件透射后投射到PSD_B上形成的光斑的横坐标；

d_AB＝x₂₀-x₁₀；

y₁₀，PSD_A到基底的距离；

y₂₀，PSD_B到晶片外延生长薄膜基底的距离；

f，采样频率；

RPM，承载基底的石墨盘每分钟转数；

k，PSD1上光斑的纵坐标随时间变化按线性拟合的斜率；

α，校准系数。

2.根据权利要求1所述的自动检测晶片基底二维形貌的装置，其特征在于，所述多路激光发射装置包括多路分光棱镜和激光器，所述多路分光棱镜包括多个分光面，所述多个分光面之间平行，所述多个分光面与水平方向的夹角分别为45°，所述多个分光面的中心处在同一直线上，所述激光器发射的激光沿着与所述直线的垂直方向射向其中一处于最外侧的分光面，通过给所述多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过所述多个分光面透射或者反射的多路出射光光强相同。

3.根据权利要求2所述的自动检测晶片基底二维形貌的装置，其特征在于，所述激光器内部增设反馈电路。

4.根据权利要求2所述的自动检测晶片基底二维形貌的装置，其特征在于，所述分光面为5个，依次为第一分光面，第二分光面，第三分光面、第四分光面和第五分光面；

所述激光器发射的激光沿着与所述直线垂直的方向射向所述第一分光面，

所述第一分光面的反射率为80％，透射率为20％；

所述第二分光面的反射率为25％，透射率为75％；

所述第三分光面的反射率为34％，透射率为66％；

所述第四分光面的反射率为50％，透射率为50％；

所述第五分光面的反射率为100％，透射率为0。

5.根据权利要求2所述的自动检测晶片基底二维形貌的装置，其特征在于，所述多个分光面的上、下表面分别设有镀模，所述镀膜与所述激光器发射的激光波长相配合。