[发明专利]检测晶片基底二维形貌的装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体材料无损检测技术领域，特别涉及检测晶片基底二维形 貌的装置。

背景技术

申请号为201410189094.1的发明专利申请涉及一种实时快速检测晶片基底 二维形貌的装置，包括N个PSD，N束激光和第一分光元件，所述N束激光沿 直线排布，其中，所述N为3以上的自然数，所述N个PSD与N束激光一一 对应，所述N束激光首先射向所述第一分光元件，经过所述第一分光元件后形 成入射光，所述入射光入射到晶片基底上，并在晶片基底上沿径向形成N个入 射点，所述入射光被所述基底反射后形成N束第一种反射光束，所述各第一种 反射光束经过所述第一分光元件透射后，入射到与所述N束激光相对应的PSD 上，形成N个光斑。应用该装置得到基底二维形貌的方法是：根据所述N个光 斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲 率C_X，根据所述N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测 基底移动方向即Y方向的曲率C_Y，根据各所述C_X、C_Y的计算结果，得到基底 的二维形貌。

该装置中，为了能够使各PSD的布置更加紧凑，还包括通光装置，通光装 置设置在所述入射光和第一种反射光束共同经过的光路上，通光装置上设有N 个通光孔，N个通光孔与所述N束激光一一对应，通光孔间隔地设有反射镜， 用于使对应经过的光束方向翻转90°。由于通光装置结构相对复杂，自身存在 系统误差，难以保证各PSD接收到的光的一致性。此外，该装置中，各方向光 束在光路上各有各的反射、透射元件，更加影响了各PSD接收到的光的一致性。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出了一种能够保证PSD接收到的光的一致性 的检测晶片基底二维形貌的装置。

本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置包括N个PSD，N束激光、与 所述N束激光一一对应的N个第一分光片、与所述N束激光一一对应的N个第 二分光片，所述N束激光沿直线排布，其中，所述N为3以上的自然数，所述 N个PSD与N束激光一一对应，所述N个PSD分别布置在所述N束激光的左 右两侧，包括左侧PSD和右侧PSD，

每束激光经过第一分光片后入射到第二分光片，通过第二分光片后入射到 晶片样品表面，晶片样品表面反射的N束反射光束包括第一方向光束和第二方 向光束，第一方向光束通过第二分光片后，入射到第一分光片，经过所述第一 分光片后，入射到所述右侧PSD上；所述第二方向光束通过第二分光片后入射 到所述左侧PSD上；

所述N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，其中，对应 于所述第一方向光束的区域，所述第一分光片能同时反射和透射所述激光；对 应于所述第二方向光束的区域，所述第二分光片能同时反射和透射所述激光。

本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置在与N束激光一一对应的N个 第一分光片和与N束激光一一对应的N个第二分光片设有镀膜区域，镀膜区域 反射和透射的性质则根据各第一种反射光束的传播方向决定，由于N个第一分 光片和N个第二分光片结构简单，并且，镀膜精度极高，因此，能够保证不同 传播方向PSD接收到的光的一致性。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的检测晶片基底二维形貌的装置中第一方向光 束和第二方向光束光路传播方式对应的光路图；

图2为本发明实施例二提供的检测晶片基底二维形貌的装置中第一方向光 束和第二方向光束光路传播方式对应的光路图；

图3为本发明实施例二提供的检测晶片基底二维形貌的装置中，光束为5 束时集成为一片的第一分光片或第二分光片的示意图；

图4为本发明实施例三提供的检测晶片基底二维形貌的装置中第一方向光 束和第二方向光束光路传播方式对应的光路图；

图5为本发明实施例三提供的检测晶片基底二维形貌的装置中应用的多路 激光发射装置的示意图；

具体实施方式

为了深入了解本发明，下面结合附图及具体实施例对本发明进行详细说明。

实施例一

为了便于理解，本发明实施例一仅针对第一方向光束和第二方向光束给出 了其中的一路。