[发明专利]太阳能电池的制造工艺和太阳能电池的处理工艺

权利要求书

1.PERC结构太阳能电池制造工艺，其包括一退火处理步骤，其中基体(1)经历一退火温度曲线(52)，在退火温度曲线(52)中，在至少3秒的退火时间内将温度保持在一个温度区间内，该温度区间的下限为大约400℃，上限为大约700℃；基体经历一烧结步骤，包括一烧结步骤的升温阶段和一烧结步骤的降温阶段，通过上述处理，在基体表面上涂覆的金属化浆料形成了一个金属化层，其中

-退火处理步骤集成在烧结步骤的降温阶段内，使在设置烧结步骤处理温度时，在烧结步骤温度变化曲线上设置一个平台期，以实现退火处理的步骤，当烧结处理的温度达到最高温度之后，保持该温度一段时间；

其中退火处理步骤包括一降温阶段(52b)，其中基体在退火处理过程中经历一退火温度曲线(52)，在退火步骤的降温阶段(52b)最大斜率为100K/s、70K/s、50K/s或30K/s。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制造工艺，其特征在于，温度区间的下限为400℃、420℃、450℃或480℃和/或温度区间的上限为550℃、600℃、650℃或700℃。

3.根据前述权利要求1所述的太阳能电池制造工艺，其特征在于，基体在退火处理步骤的过程中被光照射或者被通电。

4.根据前述权利要求1所述的太阳能电池制造工艺，其特征在于，基体由单晶半导体或者多晶半导体构成。

5.根据前述权利要求1所述的太阳能电池制造工艺，其特征在于，基体的一面或者两面覆盖有具有表面钝化性能的钝化层。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池制造工艺，其特征在于，背面钝化层采用以氧化铝层、氮氧化铝层和/或由氧化铝、氮氧化铝和氮氧化硅和/或氮化硅中的若干物质构成的多层结构构成。

7.根据权利要求5或6所述的太阳能电池制造工艺，其特征在于，正面钝化层由氮氧化硅或氮化硅构成。

8.根据前述权利要求1所述的太阳能电池制造工艺，其特征在于，抗反射层是由氮氧化硅或者氮化硅构成。