[发明专利]红外焦平面阵列芯片贮存失效率、可靠度的检测方法

权利要求书

1.一种红外焦平面阵列芯片贮存失效率的检测方法，其特征在于，包括：

测量红外焦平面阵列芯片的样品的像元个数；

将所述样品进行分组；

测量贮存前每组样品的初始有效像元率，将每组样品在一组高温贮存应力下进行贮存，测量贮存后每组样品的最终有效像元率；其中，各组样品对应的高温贮存应力不同；

根据样品的所述最终有效像元率和所述初始有效像元率的差值确定该组样品在对应高温贮存应力下的像元失效率；

根据各所述像元失效率计算样品贮存退化的激活能值，并根据所述激活能值计算常温贮存应力下的加速系数；

根据所述加速系数和所述像元个数计算样品的像元在常温条件、预设置信水平下的贮存失效率上限值，将所述贮存失效率上限值确定为红外焦平面阵列芯片的贮存失效率。

2.根据权利要求1所述的红外焦平面阵列芯片贮存失效率的检测方法，其特征在于，

采用公式D_i＝d_i×Unit确定样品的像元的数量单位，

其中，D_i表示第i组样品的像元个数，Unit表示第i组样品的像元数量单位，各组样品像元的数量单位相同，d_i在预设范围内；

采用以下公式计算样品的像元在常温条件、预设置信水平下的贮存失效率上限值：

λ=χα,2r+222·t·ss·AF·Unit]]>

其中，λ表示贮存失效率上限值，表示χ²分布的α分位数，α表示置信水平，T_i表示第i组样品对应的高温贮存温度，O_loss(T_i)表示第i组样品在T_i下的像元失效率，t表示试验时间，n表示样品组数，AF表示加速系数。

3.根据权利要求1所述的红外焦平面阵列芯片贮存失效率的检测方法，其特征在于，通过最小二乘法拟合并采用以下公式计算样品贮存退化的激活能值：

Oloss(Ti)=O·exp(EakTi)]]>

其中，T_i表示第i组样品对应的高温贮存温度，O_loss(T_i)表示第i组样品在T_i下的像元失效率，O表示特征常数，E_a表示贮存退化的激活能值，k是常数。