[发明专利]形成图案的机制

权利要求书

1.一种在半导体器件中形成图案的方法，包括：

提供衬底和位于所述衬底上方的图案化目标层；

在所述图案化目标层上方形成一个或多个心轴图案；

通过去除第一心轴图案以及光刻胶层的覆盖所述第一心轴图案的部分，在所述光刻胶层中形成开口；

形成邻近第二心轴图案的侧壁的间隔件；

去除所述第二心轴图案以暴露所述间隔件；

在所述间隔件上方形成与所述开口对准的贴片图案；

将所述贴片图案和所述间隔件用作掩模元件，蚀刻所述图案化目标层以形成最终图案；以及

去除所述贴片图案和所述间隔件以暴露所述最终图案，

其中，第一最终图案位于远离邻近的第二最终图案一定距离处，所述距离在从约(n+0.3)倍节距至约(n+0.8)倍节距的范围内，其中，n是整数，并且其中，所述节距是两个邻近的间隔件之间的距离加上间隔件的宽度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一最终图案形成为位于远离所述邻近的第二最终图案一定距离处，所述距离在从约1.3倍节距至约1.8倍节距的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述贴片图案形成为位于在平面方向上远离邻近的间隔件从约(n+0.3)倍节距至约(n+0.8)倍节距的范围内的距离处，其中，n是整数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化目标层具有在从约50至约500的范围内的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述心轴图案具有在从约100至约800的范围内的高度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔件具有在从约5nm至约30nm的范围内的宽度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述贴片图案具有在从约50至约500的范围内的高度。

8.根据权利要求1所述的方法，在形成所述开口之前，还包括：

在所述图案化目标层上方形成所述光刻胶层以覆盖所述一个或多个心轴图案。

9.一种在半导体器件中形成图案的方法，包括：

提供衬底和位于所述衬底上方的图案化目标层；

在所述图案化目标层上方形成一个或多个心轴图案；

形成邻近所述心轴图案的侧壁的间隔件；

去除所述心轴图案以暴露所述间隔件；

通过去除第一间隔件以及去除光刻胶层的覆盖所述第一间隔件的部分，在所述光刻胶层中形成开口；

在第二间隔件上方形成与所述开口对准的贴片图案；

将所述贴片图案和所述第二间隔件用作掩模元件，蚀刻所述图案化目标层以形成最终图案；以及

去除所述贴片图案和所述第二间隔件以暴露所述最终图案，

其中，第一最终图案位于远离邻近的第二最终图案一定距离处，所述距离在从约(n+0.3)倍节距至约(n+0.8)倍节距的范围内，其中，n是整数，并且其中，所述节距是两个邻近的间隔件之间的距离加上间隔件的宽度。

10.一种在半导体器件中形成图案的方法，包括：

提供衬底和位于所述衬底上方的图案化目标层；

在所述图案化目标层上方形成一个或多个心轴图案；

形成邻近所述心轴图案的侧壁的间隔件；

通过去除第一心轴图案和第一间隔件以及去除光刻胶层的覆盖所述第一心轴图案和所述第一间隔件的部分，在所述光刻胶层中形成开口；

在第二间隔件上方形成与所述开口对准的贴片图案；

形成邻近所述贴片图案的侧壁的一个或多个贴片间隔件；

将所述一个或多个贴片间隔件和所述第二间隔件用作掩模元件，蚀刻所述图案化目标层以形成最终图案；以及

去除所述一个或多个贴片间隔件和所述第二间隔件以暴露所述最终图案，

其中，第一最终图案位于远离邻近的第二最终图案一定距离处，所述距离在从约(n+0.3)倍节距至约(n+0.8)倍节距的范围内，其中，n是整数，并且其中，所述节距是两个邻近的间隔件之间的距离加上间隔件的宽度。