[发明专利]MEMS硅膜的制造方法在审
| 申请号： | 201410693991.6 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105645348A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 制造 方法 | ||
1.一种MEMS硅膜的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底和基片；
在衬底正面淀积二氧化硅层；
将衬底通过所述二氧化硅层和基片键合；
对基片进行正面减薄；
在衬底背面进行等离子体刻蚀以制作刻蚀区；
对所述刻蚀区进行湿法刻蚀，并在二氧化硅层停止刻蚀，从而得到MEMS 硅膜。
2.根据权利要求1所述的MEMS硅膜的制造方法，其特征在于，所述在 衬底正面淀积二氧化硅层，包括：在衬底正面通过化学气相淀积工艺淀积二氧 化硅层。
3.根据权利要求1所述的MEMS硅膜的制造方法，其特征在于，所述二 氧化硅层的厚度为100nm～2000nm。
4.根据权利要求1所述的MEMS硅膜的制造方法，其特征在于，所述等离 子体刻蚀包括：电感耦合等离子体刻蚀。
5.根据权利要求1所述的MEMS硅膜的制造方法，其特征在于，所述湿法 刻蚀包括：利用KOH或TMAH进行湿法刻蚀。
6.根据权利要求1所述的MEMS硅膜的制造方法，其特征在于，所述对 所述刻蚀区进行湿法刻蚀，并在二氧化硅层停止刻蚀，从而得到MEMS硅膜的 步骤包括：对所述刻蚀区进行湿法刻蚀，并在刻蚀到二氧化硅层的底面或二氧 化硅层中时停止刻蚀，从而得到MEMS硅膜。
7.根据权利要求1所述的MEMS硅膜的制造方法，其特征在于，所述硅 膜和所述刻蚀区都是正方形，硅膜边长为L1，刻蚀区边长为L2，衬底厚度为D， 则所述湿法刻蚀的深度H2＝(L2-L1)×tan(180°-α)，等离子体刻蚀的深度 H1＝D-H2，其中钝角α为通过湿法刻蚀出来的倒梯形结构刻蚀腔的侧壁和底 部所呈角度。
8.根据权利要求7所述的MEMS硅膜的制造方法，其特征在于，钝角α为 124度～128度。
9.根据权利要求8所述的MEMS硅膜的制造方法，其特征在于，钝角α为 126度。
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