[发明专利]键合方法和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410695956.8 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104409375A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 丁刘胜;王旭洪;徐元俊 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 半导体器件 制造 | ||
1.一种键合方法，用于使第一基片与第二基片键合为一体，该键合方法包括：
对表面沉积有键合用金属层的所述第一基片进行处理，以使所述金属层的表面生成覆盖物；
将所述第一基片与所述第二基片所处环境的温度调整到第一温度，以将所述覆盖物从所述金属层的表面去除，其中，所述第一温度高于所述覆盖物的沸点；
维持该第一温度，将所述第二基片与所述金属层的表面贴合，并对所述第一基片和所述第二基片施加压力，以使所述第一基片与所述第二基片键合为一体。
2.如权利要求1所述的键合方法，其中，
在进行所述处理时，所述第一基片所处环境的温度被调整到第二温度，其中，所述第二温度低于所述覆盖物的沸点。
3.如权利要求1所述的键合方法，其中，
在所述处理中，向所述第一基片所处环境通入反应物，其中，所述反应物与所述金属层表面的氧化层发生反应，以生成所述覆盖物。
4.如权利要求3所述的键合方法，其中，
所述反应物还与所述金属层发生反应，以生成所述覆盖物。
5.如权利要求3所述的键合方法，其中，
所述反应物是溴化氢(HBr)或氯化氢(HCl)。
6.如权利要求1所述的键合方法，其中，
进行所述处理的时间为1-10秒。
7.如权利要求1所述的键合方法，其中，
所述金属层的材料为铝，并且，所述第二基片的材料为锗。
8.一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：
在形成有微机电结构的第一基片表面沉积键合用金属层；
对沉积有所述金属层的所述第一基片进行第一处理，以使所述金属层的表面生成覆盖物；
将所述第一基片与第二基片所处环境的温度调整到第一温度，以将所述覆盖物从所述金属层的表面去除，其中，所述第一温度高于所述覆盖物的沸点；
维持该第一温度，将所述第二基片与所述金属层的表面贴合，并对所述第一基片和所述第二基片施加压力，以使所述第一基片与所述第二基片键合为一体；
对键合为一体的所述第一基片与所述第二基片进行第二处理，以形成半导体器件。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述第一处理中，向所述第一基片所处环境通入反应物，其中，所述反应物与所述金属层表面的氧化层发生反应，以生成所述覆盖物。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述反应物是溴化氢(HBr)或氯化氢(HCl)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
