[发明专利]制造有机发光显示装置的方法在审

专利信息
申请号: 201410696585.5 申请日: 2014-11-26
公开(公告)号: CN104681746A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 李承炫;赵恒燮;李泰炯;刘容雨 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 制造 有机 发光 显示装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及制造有机发光显示装置的方法,并且更具体地,涉及一种能够增强制造工艺的效率的制造有机发光显示装置的方法。

背景技术

近来,随着时代向面向信息的社会发展,平板显示装置的重要性因为在其变薄和减轻以及低消耗功率的实现方面具有良好特性而在增加。在平板显示装置中,包括薄膜晶体管(TFT)的液晶显示(LCD)装置在分辨率、色彩显示和图像质量方面是良好的,进而作为用于笔记本计算机、平板计算机和台式计算机的显示装置被商业化。具体地,有机发光显示装置是自发射装置,并且具有快速响应时间、低消耗功率和宽视角。因此,有机发光显示装置作为下一代平板显示装置正在吸引更多关注。

具体地,因为制造工艺简单,所以与现有技术的LCD装置相比制造成本大大降低了。

有机发光显示装置包括用于自发光的有机发光二极管(OLED)。OLED包括形成在阳电极与阴电极之间的有机化合物层。该有机化合物层包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层。当驱动电压被施加于阳电极和阴电极时,通过空穴传输层的正空穴和通过电子传输层的电子在发射层中结合以生成激子,激子从受激态向基态转移以发射可见光。

OLED具有非常易受空气中的湿气和氧的影响的特性。因此,制造有机发光显示装置的工艺需要在基板上形成防潮绝缘层以便防止湿气和氧渗透到OLED中的工艺。

图1是示意性地例示了形成现有技术的有机发光显示装置的防潮绝缘层的制造方法的图。

参照图1,现有技术的有机发光显示装置包括防潮绝缘层14,该防潮绝缘层14通过在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺或诸如溅射工艺的物理气相沉积(PVD)工艺中将无机材料沉积在形成有TFT和OLED的基板10上而形成。

防潮绝缘层14被形成为充分地覆盖包括OLED的显示部AA。然而,防潮绝缘层14不应该形成在设置有接触驱动器集成电路(IC)或柔性印刷电路(FPC)的焊盘部PA的非显示部NA中。

为此,在形成防潮绝缘层14时必定需要用于防止防潮绝缘层14被沉积在非显示部NA中的掩模15。

形成现有技术的有机发光显示装置的防潮绝缘层14的制造方法存在以下问题。

首先,防潮绝缘层4的均匀性由于使用掩模遮蔽而降低。

第二,由于掩模15的部分分离或未对准而发生层形成缺陷。

第三,因为使用了掩模15,所以更多成本被花费用于开发和制造昂贵的精密对准系统、掩模15和操作设备。

第四,因为使用了掩模15,所以PECVD室的体积增加,并且需要附加的设备。由于该原因,更多成本被花费。

发明内容

因此,本发明致力于提供一种基本上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或更多个问题的制造有机发光显示装置的方法。

本发明的一个方面致力于提供一种制造有机发光显示装置的方法,该方法在不使用掩模的情况下在OLED上形成防潮绝缘层,进而能够通过省略掩模工艺来降低工艺成本并且增强工艺的效率。

本发明的附加的优点和特征将在以下的说明书中部分地阐述,并且对于本领域普通技术人员而言,在研究了下文后将部分地变得显而易见,或者可以从本发明的实践中学习到。本发明的目标和其它优点可以由在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的,如本文所具体实现和广义描述的,提供了一种制造有机发光显示装置的方法,该方法包括以下步骤:设置包括显示部和非显示部的第一基板;在所述第一基板的所述显示部中形成薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED),并且设置包括焊盘接触部和焊盘绝缘部的焊盘部,该焊盘接触部被布置在所述非显示部处并且电连接至所述TFT,该焊盘绝缘部被布置在相邻的所述焊盘接触部之间;在整个所述第一基板上形成防潮绝缘层;将封装基板附接到与所述显示部对应的防潮绝缘部上;以及利用激光去除形成在所述焊盘接触部处的所述防潮绝缘层。

焊盘接触部可以包括:焊盘电极,该焊盘电极被布置在所述第一基板处;保护层,该保护层被布置在线层上;透明电极层,该透明电极层被布置在所述保护层上;以及所述防潮绝缘层,该防潮绝缘层被布置在所述透明电极层上。

透明电极层可以由铟锡氧化物(ITO)形成。

透明电极层可以由MoTi和被布置在MoTi上的铟锡氧化物(ITO)形成。

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