[发明专利]利用纳米碳管制作透明导电膜的方法在审

专利信息
申请号: 201410696784.6 申请日: 2014-11-26
公开(公告)号: CN105304162A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 蔡群贤;李庭鹃;蔡群荣;许景栋;李家宏;饶瑞峪 申请(专利权)人: 台湾奈米碳管股份有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 王玉双;常大军
地址: 中国台湾苗栗县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 利用 纳米 制作 透明 导电 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种导电薄膜的制造方法,尤其涉及一种利用纳米碳管制作透明导电膜的方法。

背景技术

随着显示器与触控面板的普及,当中所使用的透明导电薄膜亦不断的改进与精进。目前透明导电薄膜的最主要原料来源,氧化铟锡(indiumtinoxide,简称为ITO),由于其中的铟属于稀有金属,产量有限,造成供给不稳定及原料成本节节高升,因此,寻找新的替代性材料已成为相关业者首要的研究目标。

例如纳米碳管因具有导电性而被应用在导电领域以形成一导电膜,而现有使用纳米碳管的该导电膜包括网状结构的一纳米碳管薄膜,不过由于该网状结构的纳米碳管薄膜存在网洞,而使得使用纳米碳管的该导电膜,其具有导电率较低的缺点。

故在中国台湾专利公开第201137899号中,即揭示一种导电膜,其包括纳米碳管网状结构层及多纳米导电粒子,所述纳米碳管网状结构层具有多个网洞,所述多纳米导电粒子填充于该多个网洞。如此,该导电膜通过在纳米碳管网状结构层的网洞填充该纳米导电粒子,提高了导电率。

然而,上述的该导电膜,虽然该纳米导电粒子填充于该纳米碳管网状结构之中的该网洞,但是构成该纳米碳管网状结构的该纳米碳管,彼此之间仍仅为相靠或是碰触,并未有可靠的连接关系,使得在电性的传导上遇到了瓶颈,而有改善的空间。

发明内容

本发明的主要目的,在于解决现有以纳米碳管所制成的一导电膜,该纳米碳管之间未有可靠的连接关系,使得该导电膜具有导电度不佳的问题。

为达上述目的,本发明提供一种利用纳米碳管制作透明导电膜的方法,包含以下步骤:

步骤1:将多个纳米碳管与多个金属颗粒设置于一基材上,该金属颗粒连接于该纳米碳管之间;

步骤2:对该纳米碳管进行照光,令该纳米碳管之间产生一光电流;以及

步骤3:该金属颗粒通过该光电流的加热而熔化,并使该纳米碳管与该金属颗粒之间形成焊接,而于该基材上形成一透明导电膜。

为达上述目的,本发明另提供一种利用纳米碳管制作透明导电膜的方法,包含以下步骤:

步骤A:将多个纳米碳管与多个金属颗粒设置于一基材上,该金属颗粒连接于该纳米碳管之间;

步骤B:对该纳米碳管进行一电晕处理,令该纳米碳管之间产生一放电电流;以及

步骤C:该金属颗粒通过该放电电流之加热而熔化,并使该纳米碳管与该金属颗粒之间形成焊接,而于该基材上形成一透明导电膜。

如此一来,本发明相较于现有技术,至少具有以下功效:本发明分别通过照光或是电晕处理的方式,将分布于该纳米碳管之间的该金属颗粒熔化,而焊接于该纳米碳管上,使得该纳米碳管之间可通过该金属颗粒的焊接而可靠的连接,以提升该透明导电膜的导电度。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1,为本发明第一实施例的步骤流程图;

图2A至图2C,为本发明第一实施例的工艺示意图;

图3,为本发明第二实施例的步骤流程图;

图4A至图4C,为本发明第二实施例的工艺示意图。

具体实施方式

有关本发明的详细说明及技术内容,现就配合附图说明如下:

请搭配参阅图1及图2A至图2C所示,图1为本发明第一实施例的步骤流程图,图2A至图2C为本发明第一实施例的工艺示意图,本发明提供一种利用纳米碳管制作透明导电膜的方法,包含以下步骤:

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