[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410697284.4 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105702680B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 徐烨锋;闫江;陈邦明;唐兆云;唐波;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底；
在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，平面上各个叠层之间为隔离沟槽；
从第一半导体层的端部去除部分的第一半导体层，以形成开口；
填充开口及隔离沟槽，以分别形成第一绝缘层和隔离；
在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；
通过刻蚀孔腐蚀去除剩余的第一半导体层，以形成空腔；
填充空腔及刻蚀孔，以分别形成第二绝缘层及绝缘孔；
进行器件的后续加工。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过外延生长在半导体衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层的叠层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述第一半导体层为GexSi1-x，其中0<x<1，所述第二半导体层为硅。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成开口或形成空腔时，去除第一半导体层的方法包括：采用HF、H2O2、CH3COOH和H2O的刻蚀剂进行腐蚀去除第一半导体层。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成第一绝缘层和隔离的步骤具体包括：进行氧化工艺，在开口内以及在隔离沟槽的内壁上形成第一氧化物层；在隔离沟槽中填满第二氧化物层。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用ALD工艺或者CVD工艺，在空腔中填满第一介质层以及在刻蚀孔的内壁上形成第一介质层；在刻蚀孔中填满第二介质层。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成隔离和刻蚀孔的步骤之间还包括：在第二半导体层上形成器件结构；覆盖层间介质层；
形成刻蚀孔的步骤包括：刻蚀器件结构的栅极两侧的层间介质层以及第二半导体层，以在第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
半导体衬底上的绝缘层和第二半导体层的叠层且绝缘层位于第二半导体层和半导体衬底之间，其中，绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于第二半导体层的端部且包围第二绝缘层；
位于平面上各个叠层之间的衬底上的隔离；
贯穿第二半导体层且与第二绝缘层相接的绝缘孔；
所述隔离包括隔离沟槽内壁上的第一氧化物层和填满隔离沟槽的第二氧化物层，第一绝缘层与第一氧化物层由同一氧化工艺形成。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，绝缘孔包括孔内壁上的第一介质层以及填满孔的第二介质层，第二绝缘层为第一介质层的材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
