[发明专利]双折射消偏振薄膜在审
| 申请号： | 201410697324.5 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104407410A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 侯永强;阎江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双折射 偏振 薄膜 | ||
1.一种双折射消偏振薄膜，应用于45°倾斜的入射光环境中，其特征在于，包括：
一基底和位于所述基底上的各向异性双折射膜系；
所述各向异性双折射膜系包括交替叠置的高折射率膜层和低折射率膜层，且该各向异性双折射膜系的最外层为高折射率膜层；
其中，每层所述高折射率膜层和所述低折射率膜层均为各向异性的膜层，且每层所述高折射率膜层和所述低折射率膜层的光学厚度均为所述入射光的波长的四分之一。
2.如权利要求1所述的双折射消偏振薄膜，其特征在于，所述各向异性双折射膜系由倾斜入射沉积工艺进行制备。
3.如权利要求1所述的双折射消偏振薄膜，其特征在于，所述倾斜入射沉积工艺为倾斜入射的物理气相沉积工艺。
4.如权利要求3所述的双折射消偏振薄膜，其特征在于，每层所述高折射率膜层均采用同一入射角度的倾斜入射沉积工艺进行制备；
每层所述低折射率膜层均采用同一入射角度的倾斜入射沉积工艺进行制备。
5.如权利要求4所述的的双折射消偏振薄膜，其特征在于，制备所述高折射率膜层所采用的入射角度与制备所述低折射率膜层所采用的入射角度相同。
6.如权利要求4所述的的双折射消偏振薄膜，其特征在于，制备所述高折射率膜层所采用的入射角度与制备所述低折射率膜层所采用的入射角度相同。
7.如权利要求6所述的的双折射消偏振薄膜，其特征在于，制备所述高折射率膜层所采用的入射角度为60°，且制备所述低折射率膜层所采用的入射角度为70°。
8.如权利要求1所述的的双折射消偏振薄膜，其特征在于，所述各向异性双折射膜系的材质为Ta2O5。
9.如权利要求1所述的的双折射消偏振薄膜，其特征在于，所述基底的材质包括K9玻璃和/或石英玻璃。
10.如权利要求1所述的双折射消偏振薄膜，其特征在于，所述高折射率薄膜的主轴与所述低折射率薄膜的主轴垂直。
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