[发明专利]一种金属线压焊异常的样品处理方法有效
| 申请号： | 201410697337.2 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104409381B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 唐涌耀 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属线 异常 样品 处理 方法 | ||
1.一种金属线压焊异常样品的处理方法，应用于半导体芯片测试结构样品中，所述半导体测试结构样品包括一封装底座和一芯片，
其特征在于，所述方法包括：
步骤S1：在一金属线压焊异常的半导体测试结构样品中移除用于连接所述芯片上的金属垫和所述封装底座上的键合垫的金属线，以使所述封装底座和所述芯片之间电性分离；
步骤S2：采用检测探针测试任意两个焊球异常的金属垫之间的阻值，通过所述阻值判断所述金属垫之间是否短路，如短路则执行下一个步骤S3；
步骤S3：通过激光器轰击所述金属垫至所述芯片的其它金属层；
步骤S4：使用所述检测探针测试阻值，判断所述金属垫与所述其它金属层是否断开，若未断开则重复执行步骤S3直至所述金属垫与所述其它金属层断开，若断开则执行下一个步骤S5；
步骤S5：对所述样品进行重新压焊。
2.根据权利要求1所述的金属线压焊异常样品的处理方法，其特征在于，所述检测探针根据接通的电流值以及检测得到的电压值获取所述阻值。
3.根据权利要求1所述的金属线压焊异常样品的处理方法，其特征在于，所述检测探针加载电压并检测电流。
4.根据权利要求1所述的金属线压焊异常样品的处理方法，其特征在于，所述激光器为半导体失效分析激光切割器。
5.根据权利要求1所述的金属线压焊异常样品的处理方法，其特征在于，所述芯片包括用于实验测试的半导体封装芯片。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的金属线压焊异常样品的处理方法，其特征在于，所述金属线压焊异常包括焊球过大或偏移导致焊球和所述芯片周边的所述金属线连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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