[发明专利]一种监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法

权利要求书

1.一种监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，其特征在于，包括下述步骤：

提供一硅衬底；

制备一栅氧化膜形成于所述硅衬底的生长区域；

在预设时刻停止制备所述栅氧化膜；

扫描所述硅衬底，对在所述硅衬底上形成栅氧化膜的区域和未形成栅氧化膜的区域进行定位；

对形成栅氧化膜的区域与未形成栅氧化膜的区域进行切片分析，以获取所述栅氧化膜是否存在生长缺陷的监测结果。

2.如权利要求1所述监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，其特征在于，采用原位水汽生长的氧化工艺制备所述栅氧化膜。

3.如权利要求1所述监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，其特征在于，所述预设时刻的范围为：15s～25s。

4.如权利要求1所述监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，其特征在于，在所述预设时刻所述栅氧化膜生长的厚度的范围为：10纳米至20纳米。

5.如权利要求1所述监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，其特征在于，采用明场扫描的方式扫描所述硅衬底。

6.如权利要求1所述监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，其特征在于，采用透射电子显微镜对形成栅氧化膜的区域与未形成栅氧化膜的区域进行切片分析。

7.如权利要求6所述监测原位水汽生长栅氧化膜的生长缺陷的方法，其特征在于，对所述切片分析的具体过程为：

采用透射电子显微镜获取所述切片的图像，判断所述图像中是否存在白亮的膜结构，若存在白亮的膜结构，则所述栅氧化膜正常；若不存在白亮的膜结构，则所述栅氧化膜存在生长缺陷。