[发明专利]一种硅片处理装置及方法有效
申请号: | 201410697547.1 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN105632971B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 王刚;田翠侠;姜杰;王邵玉;阮冬 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 处理 装置 方法 | ||
1.一种硅片处理装置,用以对硅片进行预对准和边缘曝光,其特征在于:包括预对准模块、边缘曝光模块、运动模块、控制模块、固定模块、旋转台和定位台;所述预对准模块、边缘曝光模块、运动模块、控制模块和定位台均与所述固定模块相连;所述控制模块与预对准模块、边缘曝光模块和运动模块之间电联接;所述运动模块包括由上到下依次连接的旋转模组、升降模组和直线模组;所述旋转模组顶端与所述旋转台相连,所述旋转台用于承载和固定所述硅片,旋转模组带动所述旋转台和硅片进行旋转;所述定位台位于旋转台下方,所述定位台用于在硅片靠近所述定位台时吸附硅片;所述升降模组带动所述旋转模组沿竖直方向移动;所述直线模组底面滑动的设置在所述固定模块,带动所述升降模组和旋转模组沿固定模块在水平方向移动;所述预对准模块和边缘曝光模块分别与所述硅片在水平方向两侧的缘边相对应;
所述预对准模块首先采集和处理硅片的位置信息,并将所述位置信息传送至控制模块,接着控制模块根据硅片的位置信息控制运动模块对旋转台的位置进行调整,实现硅片预对准,最后控制模块通过控制运动模块和边缘曝光模块对硅片进行边缘曝光。
2.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于:所述预对准模块包括预对准光源和预对准镜头;所述预对准光源位于硅片在水平方向其中一侧边缘的下方,所述预对准镜头位于所述预对准光源的上方,所述硅片位于所述预对准镜头和预对准光源之间;所述预对准光源发出照射光线照射所述硅片的边缘,并到达所述预对准镜头后由图像传感器采集硅片边缘的位置信息数据或缺口信息数据,并将采集到的数据传送给控制模组内的数据处理元件计算硅片中心相对于旋转台中心的偏移量或硅片缺口顶点位置。
3.根据权利要求2所述的硅片处理装置,其特征在于:所述预对准光源为可见光波段光源。
4.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于:所述边缘曝光模块包括一个边缘曝光镜头,所述边缘曝光镜头位于所述硅片边缘的上方,与所述预对准模块所在位置的连线经过所述硅片的圆心,边缘曝光镜头包括曝光光源和可变视场光阑,所述曝光光源位于可变视场光阑上方,曝光光源发出的光线经过可变视场光阑之后照射到硅片上进行曝光。
5.根据权利要求4所述的硅片处理装置,其特征在于:所述曝光光源为紫外波段光源。
6.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于:所述旋转模组、升降模组和直线模组三者的中心轴重合。
7.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于:所述定位台是一侧开口的U型结构,所述U型结构中空处的径向大小大于所述旋转模组和所述旋转台的径向大小,且小于所述硅片的半径,所述定位台吸附硅片采用两点吸附的方式。
8.根据权利要求7所述的硅片处理装置,其特征在于:所述开口位置与所述预对准模块相对应,所述定位台开口两边分别对应设有一个用于吸附硅片的真空吸附孔和若干个用于辅助支撑的凸起。
9.根据权利要求8所述的硅片处理装置,其特征在于:所述真空吸附孔周围设有柔性吸盘。
10.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于:所述硅片的半径为6英寸、8英寸或12英寸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司,未经上海微电子装备(集团)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410697547.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造