[发明专利]一种磁信号增强装置在审
申请号: | 201410697578.7 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN104409864A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 骆柳春 | 申请(专利权)人: | 骆柳春 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;A61B5/055;G01R33/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭 |
地址: | 545001 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 信号 增强 装置 | ||
1.一种磁信号增强装置,其特征在于,包括:外壳和设置在外壳内的超材料;
所述超材料包括基板及固定在基板上的人造微结构层,所述人造微结构层包括周期性阵列排布的多个人造微结构;
所述人造微结构包括四个相同的人造微结构单元,任一所述人造微结构单元绕同一旋转轴旋转90°、180°、270°后分别与其它三个人造微结构单元重合;
所述人造微结构单元包括一边具有缺口的四边形状的第一金属分支,一端设于该缺口相对的四边形边上并向该缺口延伸且突出该缺口的第二金属分支,垂直于该第二金属分支另一端的第三金属分支。
2.如权利要求1所述的磁信号增强装置,其特征在于:所述超材料包括两层所述基板和三层所述人造微结构层,两层所述基板和三层所述人造微结构层相间层叠。
3.如权利要求1所述的磁信号增强装置,其特征在于:所述人造微结构单元的位置一一对应;所述人造微结构单元开口方向为,两外层人造微结构单元的开口方向相同,中间层人造微结构单元与外层人造微结构单元的开口方向相反。
4.如权利要求1所述的磁信号增强装置,其特征在于:所述基板为FR-4有机高分子基板或陶瓷基板。
5.如权利要求1所述的磁信号增强装置,其特征在于:所述基板的厚度为0.10-0.30mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于骆柳春,未经骆柳春许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410697578.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。