[发明专利]阵列基板及其制造方法，以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，包括：

形成薄膜晶体管；

形成覆盖所述薄膜晶体管的钝化层，该钝化层具有过孔并且该过孔露出所述薄膜晶体管的漏极的至少一部分；

形成过孔导电层，该过孔导电层覆盖所述漏极于所述过孔处露出的部分并连接所述漏极；

对所述过孔导电层进行处理，以使所述过孔导电层的反射率低于所述漏极的反射率；以及

形成像素电极，该像素电极通过所述过孔导电层连接所述漏极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，还包括：形成公共电极，其中所述过孔导电层与所述公共电极同时形成，并且所述过孔导电层与所述公共电极彼此断开。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，还包括：

在所述过孔导电层和所述公共电极上形成电极间绝缘层；

对所述电极间绝缘层进行构图工艺，以露出所述过孔导电层；以及

对所述过孔导电层进行处理，以使所述过孔导电层的反射率低于所述漏极的反射率。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，还包括：在所述电极间绝缘层上形成所述像素电极。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其中所述过孔导电层与所述像素电极一体形成。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，还包括：

形成像素电极层；

在像素电极层上涂覆光刻胶，采用双色调掩模板对光刻胶进行曝光、显影，以形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，该光刻胶完全保留区域对应于要形成所述像素电极的区域，该光刻胶部分保留区域对应于要形成所述过孔导电层的区域，该光刻胶完全去除区域对应于其他区域；

蚀刻去除光刻胶完全去除区域的像素电极层；

灰化去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，以形成所述过孔导电层；

以剩余的光刻胶作为掩模，对所述过孔导电层进行处理以使过孔导电层的反射率低于漏极的反射率；以及

去除剩余的光刻胶，得到像素电极。

7.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，还包括：

形成像素电极层；

采用第一单色调掩模板对所述像素电极层进行构图工艺以形成所述像素电极和过孔导电层；以及

采用第二单色调掩模板对所述过孔导电层进行处理，以使所述过孔导电层的反射率低于所述漏极的反射率。

8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制造方法，其中对所述过孔导电层进行处理包括：对所述过孔导电层进行氢化处理。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其中所述氢化处理采用氢等离子体。

10.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制造方法，还包括：形成黑矩阵和彩膜层，其中所述黑矩阵形成为对应于所述薄膜晶体管，并且所述彩膜层形成为对应于所述像素电极。

11.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制造方法，还包括：形成有机绝缘层，其中所述有机绝缘层形成为位于所述像素电极所在层与所述漏极所在的层之间。

12.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板的制造方法，还包括：形成隔垫物，其中所述隔垫物位于所述阵列基板的最上层。

13.一种阵列基板，包括：

薄膜晶体管；

钝化层，覆盖所述薄膜晶体管，该钝化层具有过孔并且该过孔露出所述薄膜晶体管的漏极的至少一部分；

过孔导电层，覆盖所述漏极于所述过孔处露出的部分并连接所述漏极，并且所述过孔导电层的反射率低于所述漏极的反射率；以及

像素电极，该像素电极通过所述过孔导电层连接所述漏极。

14.根据权利要求13所述的阵列基板，还包括公共电极，其中所述过孔导电层与所述公共电极同层设置，并且所述过孔导电层与所述公共电极彼此断开。

15.根据权利要求13所述的阵列基板，其中所述过孔导电层与所述像素电极同层设置，并且所述过孔导电层与所述像素电极彼此连接。

16.根据权利要求13-15任一项所述的阵列基板，还包括黑矩阵和彩膜层，其中所述黑矩阵对应于所述薄膜晶体管，并且所述彩膜层对应于所述像素电极。