[发明专利]固体摄像装置

权利要求书

1.一种固体摄像装置，其特征在于，包括：

第1无机光电转换部；

半导体基板部，该半导体基板部具有与所述第1无机光电转换部相对且光入射的受光面、以及由包含读取电路的电路形成的电路形成面，在该半导体基板部的内部具有第2无机光电转换部；以及

微细结构体，该微细结构体配置在所述第1无机光电转换部与所述第2无机光电转换部之间。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

从所述受光面侧入射的光中，将被所述第1无机光电转换部吸收的第1波长分量的光被所述微细结构体反射，将被所述第2无机光电转换部吸收的第2波长分量的光透过所述微细结构体。

3.如权利要求1或2所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述微细结构体由排列成阵列状的多个点构成，

各所述点具有在面内对称的平面形状。

4.如权利要求3所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第1波长分量的光为蓝色光，所述第2波长分量的光为红色光，

所述微细结构体中，各点的宽度在20～300nm的范围，各点的厚度在10～300nm的范围，相邻各点的间隔在20～250nm的范围。

5.如权利要求4所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第1无机光电转换部包含吸收所述蓝色光的蓝色吸收层，

所述第2无机光电转换部包含吸收所述红色光的红色吸收层，

在将所述蓝色吸收层的吸收系数设为α_B[nm^-1]，所述蓝色吸收层的厚度设为d_B[nm]时，

满足0.21＜α_B·d_B＜2.3的关系，

在将所述红色吸收层的吸收系数设为α_R[nm^-1]，所述红色吸收层的厚度设为d_R[nm]时，

满足1.4＜α_R·d_R＜2.6的关系。

6.如权利要求5所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述蓝色吸收层包含非晶硅。

7.如权利要求5或6所述的固体摄像装置，其特征在于，

在所述蓝色吸收层与所述微细结构体之间包含有硅氧化膜，

在将所述硅氧化膜的折射率设为n，所述硅氧化膜的厚度设为d[nm]时，

满足100＜n·d＜125的关系。

8.如权利要求4至权利要求7的任一项所述的固体摄像装置，其特征在于，

包括形成在所述半导体基板部的所述受光面侧的面上的有机光电转换部，

所述有机光电转换部包含有吸收第3波长分量的光的有机光电转换膜。

9.如权利要求8所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第3波长分量的光为绿色光，

所述有机光电转换部设置于在俯视时与所述第1无机光电转换部和所述第2无机光电转换部的形成位置相重叠的位置。

10.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，包括：

第2部分，该第2部分设置于所述第1部分的旁边，并具有所述第2无机光电转换部；

第1滤色片，该第1滤色片设置为与所述第1部分中的所述第1无机光电转换部相对，吸收第1波长分量的光和第2波长分量的光；以及

第2滤色片，该第2滤色片设置为与所述第2部分中的所述第2无机光电转换部相对，吸收第3波长分量的光。

11.如权利要求1至权利要求10的任一项所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第1无机光电转换部和所述第2无机光电转换部分别独立地与所述读取电路相连接。