[发明专利]一种全铝背场太阳电池背极的激光熔覆焊接方法在审
申请号: | 201410700409.4 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN105702750A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 孟祥海;钱金梁;路金明;孙广印;陈斌;王步峰 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;B23K26/21 |
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地址: | 272000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 全铝背场 太阳电池 激光 焊接 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种全铝背场太阳电池背极的制作及焊接工艺,属于太阳能组件制备技术领域。
背景技术
在太阳电池生产过程中,太阳电池的背面经过印刷银背电极和铝背场,其中背电极是作为太阳电池的背面电极和外界导通,背电场对太阳电池的背面起到场钝化的效果。
作为背电极的银,材料成本较高,且背极会影响该区域的载流子收集,因此,采用全铝背场结构,背极采用锡焊接将能在降低成本的同时提升电池转换效率。
目前多晶硅太阳电池产线的印刷路线是:背极---背场---正面栅线,因此需要三台印刷机。如果背极不采取印刷的办法,而采用本专利的锡焊接,则印刷线只需要两台印刷机,极大的降低了产线设备的投入与维护。
纯锡的熔点为232℃,不易氧化。银背极在常温下也不易氧化,因此我们通常将锡,通过加热的办法焊接到银背极上。而铝浆在烧结后会形成一层氧化铝,而且氧化铝在常温下就会自动生成。因此,我们很难将锡,采用加热的办法焊接到铝上。当然,在厌氧的环境下,先将氧化铝薄膜刮掉,然后采用加热的办法可以将锡焊接到铝上,但是这种设备和工艺较为复杂,产业化有一定难度。
发明内容
为解决上述缺陷,并解决不断下降的电池片价格和成本之间的矛盾,本发明在节约了背极的银材料的同时,还减少了印刷产线设备的投入成本,另外,由于背极区域被背场取代,因此该区域的载流子收集效率得到提高,电池的转换效率得到一定程度的提升,在降低成本低的同时,提高了太阳电池的光电转换效率。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种全铝背场太阳电池背极的激光熔覆焊接方法,采用以下顺序工艺步骤制得:
A在网版背面印刷铝浆,铝浆距边0.5mm,,背面不设置背极;
B印刷正电极栅线,在每一道印刷之后均进行200-500℃的烘干工序;
C将印刷完成的网版进行预烧及烧结工艺,预烧温度在330℃、400℃、420℃、420℃的温度下逐遍印刷,然后在500℃、580℃、620℃、670℃、825℃、950℃的温度下逐遍进行烧结;
D烧结完成后,采用激光熔覆焊接的方法进行背面铜电极的焊接。
进一步,所述的激光熔覆焊接时所采用的焊带为纯铜焊带,其宽度为2mm左右,焊接的背电极拉脱力为4N以上。
本发明的有益效果在于:由于本发明,背极的区域被背铝取代,背场钝化大大增强了载流子的收集效率,对比本发明制作的电池和常规电池,本发明的电池片光电转化效率比常规电池高出0.12%,主要表现为电流电压的提升;另外,每片电池片可以节省银浆0.03~0.06g/pcs,每片节约成本约0.2元;本发明通过使用激光熔覆焊接方法,将传统背极取代为铜焊带,在降低成本的同时提升了电池的光电转化效率;本发明改变了传统的背电极导电工艺,背电极不再进行印刷,传统电池工艺的电池片背面需要印刷背电极和背电场,因此需要两块网版,而激光熔覆焊接太阳电池只需要一块网版网版来印刷背电场,这种网版设计与传统钝化工艺网版设计相比,不再需要印刷背电极,钝化面积约增加了310mm2;传统工艺中,背电极需要印刷Ag/Al浆料,背电极遮蔽的面积部分得不到钝化,影响了背场钝化的均匀性,全背场钝化工艺对整个背面进行钝化,增加了背场的均匀性,并且节省了Ag/AL浆料。
附图说明
为了易于说明,本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。
图1为传统网版结构与本发明网版结构示意图。
图中A为本发明网版结构,B为传统网版结构。
具体实施方式
如图1所示,一种全铝背场太阳电池背极的激光熔覆焊接方法,采用以下顺序工艺步骤制得:
A在网版背面印刷铝浆,铝浆距边0.5mm,,背面不设置背极;
B印刷正电极栅线,在每一道印刷之后均进行200-500℃的烘干工序;
C将印刷完成的网版进行预烧及烧结工艺,预烧温度在330℃、400℃、420℃、420℃的温度下逐遍印刷,然后在500℃、580℃、620℃、670℃、825℃、950℃的温度下逐遍进行烧结。
D烧结完成后,采用激光熔覆焊接的方法进行背面铜电极的焊接。
进一步,所述的激光熔覆焊接时所采用的焊带为纯铜焊带,其宽度为2mm左右,焊接的背电极拉脱力为4N以上。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的