[发明专利]温度稳定型微波介电陶瓷LiZn2B3O7及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及介电陶瓷材料，特别是涉及用于制造微波频率使用的陶瓷基板、谐振器与滤波器等微波元器件的介电陶瓷材料及其制备方法。

背景技术

微波介电陶瓷是指应用于微波频段（主要是UHF和SHF频段）电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片和介质导波回路等元器件，是现代通信技术的关键基础材料，已在便携式移动电话、汽车电话、无绳电话、电视卫星接受器和军事雷达等方面有着十分重要的应用，在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。

应用于微波频段的介电陶瓷，应满足如下介电特性的要求：（1）系列化介电常数ε_r以适应不同频率及不同应用场合的要求;（2）高的品质因数Q值或低的介电损耗tanδ以降低噪音，一般要求Qf≥3000 GHz;(3) 谐振频率的温度系数τ_?尽可能小以保证器件具有好的热稳定性，一般要求-10 ppm /℃≤τ_?≤+10 ppm/℃。国际上从20世纪30年代末就有人尝试将电介质材料应用于微波技术, 并制备出TiO₂微波介质滤波器，但其谐振频率温度系数τ_?太大而无法实用化。上世纪70年代以来，开始了大规模的对介质陶瓷材料的开发工作, 根据相对介电常数ε_r的大小与使用频段的不同，通常可将已被开发和正在开发的微波介质陶瓷分为4类。

（1）超低介电常数微波介电陶瓷，主要代表是Al₂O₃-TiO₂、Y₂BaCuO₅、MgAl₂O₄和Mg₂SiO₄等，其ε_r≤20，品质因数Q×f≥50000GHz，τ_?≤10 ppm/°C。主要用于微波基板以及高端微波元器件。

（2）低ε_r和高Q值的微波介电陶瓷，主要是BaO-MgO-Ta₂O₅, BaO-ZnO-Ta₂O₅或BaO-MgO-Nb₂O₅,  BaO-ZnO-Nb₂O₅系统或它们之间的复合系统MWDC材料。其ε_r=20～35, Q=(1～2)×10⁴(在f≥10 GHz下), τ_?≈0。主要应用于f≥8 GHz的卫星直播等微波通信机中作为介质谐振器件。

（3）中等ε_r和Q值的微波介电陶瓷，主要是以BaTi₄O₉、Ba₂Ti₉O₂₀和（Zr、Sn）TiO₄等为基的MWDC材料,其ε_r＝35~45，Q=（6～9）×10³（在f=3～－4GHz下），τ_?≤5 ppm/°C。主要用于4～8 GHz 频率范围内的微波军用雷达及通信系统中作为介质谐振器件。

（4）高ε_r而Q值较低的微波介电陶瓷，主要用于0.8～4GHz 频率范围内民用移动通讯系统，这也是微波介电陶瓷研究的重点。80年代以来，Kolar、Kato等人相继发现并研究了类钙钛矿钨青铜型BaO—Ln₂O₃—TiO₂系列(Ln=La、 Sm、 Nd或Pr等,简称BLT系)、复合钙钛矿结构CaO—Li₂O—Ln₂O₃—TiO₂系列、铅基系列材料、Ca_1-xLn_2x/3TiO₃系等高ε_r微波介电陶瓷，其中BLT体系的BaO—Nd₂O₃—TiO₂材料介电常数达到90，铅基系列 (Pb,Ca)ZrO₃介电常数达到105。