[发明专利]一种圆形单片太阳能组件制造方法在审
申请号: | 201410704285.7 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN105702785A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 李向清 | 申请(专利权)人: | 江苏爱多光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214423 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 圆形 单片 太阳能 组件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种圆形单片太阳能组件制造方法。
背景技术
众所周知,现有的光伏组件在丝印工艺中将电极印刷到单片的两面,这样的电极设置无论电极栅线做的如何细都会阻挡部分太阳光的入射;单片掺杂时边缘的扩散层未及时除去,造成短路。现有技术急需一种能够提高太阳光透射率的圆形单片太阳能组件制造方法。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种能够提高太阳光透射率的圆形单片太阳能组件制造方法。
为实现上述目的,本发明的技术方案是提供了一种圆形单片太阳能组件制造方法,其工艺包括清洗、掺杂、印刷、烧结、单片测试,光伏电池片正、负极的焊接,叠层,光伏电池组片检测,层压固化,组框的工艺过程;单片为圆形,单片一面上设有环形电极,所述环形电极沿单晶硅片中心向外设有多个,所述多个环形电极包括正电极和负电极,所述正电极和负电极间隔设置;所述单晶硅片上设有正电极连接线与负电极连接线,所述正电极连接线与正电极连接,所述负电极连接线与负电极连接;所述正电极连接线和负电极连接线沿单晶硅片中心向边缘设置;所述正电极连接线和负电极连接线并排设置。
作为优选地,在掺杂工艺中,在链式扩散炉中将三氯氧磷以液态源的方式扩散,扩散温度控制在850~900℃;然后通过等离子边缘刻蚀将单片边缘的扩散层除去。
本发明的优点和有益效果在于:通过本发明所述的工艺可以提高太阳光透射率,同时提高单片掺杂效果。
具体实施方式
下面结合实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
一种圆形单片太阳能组件制造方法,其工艺包括清洗、掺杂、印刷、烧结、单片测试,光伏电池片正、负极的焊接,叠层,光伏电池组片检测,层压固化,组框的工艺过程。
单片为圆形,单片一面上设有环形电极,所述环形电极沿单晶硅片中心向外设有多个,所述多个环形电极包括正电极和负电极,所述正电极和负电极间隔设置;所述单晶硅片上设有正电极连接线与负电极连接线,所述正电极连接线与正电极连接,所述负电极连接线与负电极连接;所述正电极连接线和负电极连接线沿单晶硅片中心向边缘设置;所述正电极连接线和负电极连接线并排设置。
在掺杂工艺中,在链式扩散炉中将三氯氧磷以液态源的方式扩散,扩散温度控制在850~900℃;然后通过等离子边缘刻蚀将单片边缘的扩散层除去。
上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为发明的保护范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏爱多光伏科技有限公司,未经江苏爱多光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410704285.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的