[发明专利]一种大面积厚GEM的制作工艺

权利要求书

1. 一种大面积厚GEM的制作工艺，其特征在于包括以下步骤：

第一步、阻焊层覆盖，对基板进行双面绿油印制，在基板的双面覆盖阻焊层；

第二步、激光开窗，根据大面积厚GEM的分布要求，在第一步所得的覆盖有阻焊层的基板上采用激光对孔环位进行阻焊开窗，形成通孔的激光窗位

第三步、绝缘环加工，把第二步所得激光开窗处理后的基板先采用等离子清洗工艺去除激光开窗后残余铜面的保护膜，然后侧蚀方式精确蚀刻绝缘环，完成激光窗位的二次蚀刻规整限位。

2.得到激光窗位的绝缘环；

第四步、通孔成型，调节激光发生器激光照射方向对准经过第三步二次蚀刻规整限位处理的绝缘环的圆心对齐定位，从基板的双面同时进行激光钻孔通孔成型，在基板上均匀形成与绝缘环高同心度的激光通孔；

第五步、阻焊层消褪处理，把经过第四步通孔成型处理的基板进行阻焊层消褪处理，去除基板通孔成型后残余的阻焊层

根据权利要求1所述的大面积厚GEM的制作工艺，其特征在于：第三步所述等离子清洗工艺使用的清洗介质为四氟化碳和氧气的混合气，所述混合气的体积配比四氟化碳：氧气为5:2。

3. 根据权利要求1或2所述的大面积厚GEM的制作工艺，其特征在于：第一步所述的阻焊层覆盖包括阻焊前处理、阻焊印刷和阻焊固化步骤。

4. 根据权利要求3所述的大面积厚GEM的制作工艺，其特征在于：第一步阻焊层覆盖所用的基板是通过开料、棕化和叠板压合步骤加工形成的。

5. 根据权利要求4所述的大面积厚GEM的制作工艺，其特征在于：完成第五步阻焊层消褪处理的基板还包括后处理工序，所述后处理工序包括喷砂、外层线路制造、图电金和耐高压测试。

6. 根据权利要求5所述的大面积厚GEM的制作工艺，其特征在于：所述激光通孔的孔径为0.05mm～1.0mm。

7. 根据权利要求7所述的大面积厚GEM的制作工艺，其特征在于：所述激光通孔的孔距为0.15mm～10.0mm。

8. 根据权利要求7所述的大面积厚GEM的制作工艺，其特征在于：第二步所述激光开窗和第四步所述通孔成型的激光定位的精度≤40um。