[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其沿着第一方向延伸以限定衬底长度，并沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸以限定衬底宽度；

第一半导体鳍，其形成于所述衬底的上表面上，所述第一半导体鳍沿着所述第二方向延伸第一距离以限定第一鳍宽度；

第一栅极沟道，其形成于在所述衬底中形成的第一源/漏结与在所述第一半导体鳍中形成的第二源/漏结之间；

第一栅极叠层，其形成于所述第一栅极沟道的侧壁上；

第一间隔物，其被设置在所述第一栅极叠层与所述第一源/漏结之间；以及

第二半导体鳍，其形成于所述衬底的所述上表面上，所述第二半导体鳍沿着所述第二方向延伸不同于所述第一距离的第二距离以控制所述半导体器件的驱动电流流动，所述第二方向平行于所述衬底的所述上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第二栅极沟道，其形成于在所述衬底中形成的第三源/漏结与在所述第二半导体鳍中形成的第四源/漏结之间，

第二栅极叠层，其形成于所述第二栅极沟道的侧壁上；以及

第二间隔物，其被设置在所述第二栅极叠层与所述第三源/漏结之间，所述第一间隔物被配置为减小所述第一栅极沟道与所述第一源/漏结之间的电容耦合，所述第二间隔物被配置为减小所述第二栅极沟道与所述第三源/漏结之间的电容耦合。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一鳍宽度小于第二鳍宽度，所述第二鳍宽度为所述第二半导体鳍的沿着所述第二方向延伸的第二距离。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一鳍宽度大于第二鳍宽度，所述第二鳍宽度为所述第二半导体鳍的沿着所述第二方向延伸的第二距离。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一栅极沟道和所述第二栅极沟道中的至少一者与至少一个相应的源/漏结不在同一平面内。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一栅极沟道具有第一栅极长度，并且所述第二栅极沟道具有不同于所述第一栅极长度的第二栅极长度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二源/漏结以第一深度被注入所述第一半导体鳍的上表面中以限定所述第一栅极长度，并且所述第四源/漏结以不同于所述第一深度的第二深度被注入所述第二半导体鳍的上表面中以限定所述第二栅极长度。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成衬底，该衬底沿着第一方向延伸以限定衬底长度并沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸以限定衬底宽度；

在所述衬底的上表面上形成第一半导体鳍，所述第一半导体鳍沿着所述第二方向延伸第一距离以限定第一鳍宽度；

在形成于所述衬底中的第一源/漏结与形成于所述第一半导体鳍中的第二源/漏结之间形成第一栅极沟道；

在所述第一源/漏结的上表面上形成第一间隔物；

在所述第一间隔物上和所述第一栅极沟道的侧壁上形成第一栅极叠层，以便所述第一间隔物被设置在所述第一栅极叠层与所述第一源/漏结之间；以及

在所述衬底的所述上表面上形成第二半导体鳍，所述第二半导体鳍沿着所述第二方向延伸不同于所述第一距离的第二距离，所述第二方向平行于所述衬底的所述上表面。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在形成于所述衬底中的第三源/漏结与形成于所述第二半导体鳍中的第四源/漏结之间形成第二栅极沟道，

在所述第三源/漏结的上表面上形成第二间隔物；以及

在所述第二间隔物上和所述第二栅极沟道的侧壁上形成第二栅极叠层，以便所述第二间隔物被设置在所述第二栅极叠层与所述第三源/漏结之间，所述第一间隔物被配置为减小所述第一栅极沟道与所述第一源/漏结之间的电容耦合，所述第二间隔物被配置为减小所述第二栅极沟道与所述第三源/漏结之间的电容耦合。