[发明专利]掺杂方法在审
| 申请号： | 201410706160.8 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105702798A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 沈培俊;金光耀;王懿喆;陈炯;洪俊华 | 申请（专利权）人： | 上海晶玺电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/265;H01L21/225 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;吕一旻 |
| 地址： | 200092 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 | ||
1.一种掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：
S1：在一第一导电类型衬底的背面注入第一导电类型离子以形成第一导 电类型注入层；
S2：通过热扩散工艺在该第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型 掺杂层，并且扩散过程中在该第一导电类型掺杂层和该第一导电类型注入层 上分别形成氧化层，并且在热扩散过程中完成离子注入的损伤修复、激活和 推进；
S3：蚀刻该第一导电类型衬底背面的预定区域直至暴露出该第一导电类 型衬底；
S4：在与该预定区域相对应的第一导电类型衬底中形成第二导电类型掺 杂区域。
2.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S4中通过热扩散 工艺形成该第二导电类型掺杂区域。
3.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S4中通过CVD 形成该第二导电类型掺杂区域。
4.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S4中通过离子注 入形成该第二导电类型掺杂区域。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S4 之后还包括：
S5：去除该第一导电类型衬底背面的氧化层。
6.如权利要求1-4中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S1 之前还包括：
S0：在该第一导电类型衬底的正面和背面形成绒面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
