[发明专利]一种基于氧化镓薄膜的单极型阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201410706693.6 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104409630A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李培刚;郭道友;安跃华;吴真平;唐为华;汪鹏超;王顺利;朱志艳 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 浙江英普律师事务所 33238 | 代理人： | 陈小良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 薄膜 单极 型阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于氧化镓薄膜的单极型阻变存储器，其特征在于：由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为氧化镓薄膜，氧化镓的成分为Ga2O3-x，其中x为0.2—0.4，氧化镓阻变层的厚度为250nm—350nm，上电极、下电极均为Pt金属，上电极为点电极，直径为200μm。
2.根据权利要求1所述的一种基于氧化镓薄膜的单极型阻变存储器，其特征在于：氧化镓的成分为Ga2O3-x，其中x为0.3，氧化镓阻变层的厚度为300nm。
3.根据权利要求1所述一种基于氧化镓薄膜单极型阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底，用粘有酒精的棉球擦洗干净，自然晾干；
(2)将清洗干净的Pt/Ti/SiO2/Si衬底用硅片挡住一部分，在衬底中未用硅片挡住部分采用激光脉冲沉积技术生长氧化镓薄膜，具体操作参数如下：工作气压1×10-6Pa，衬底温度300℃，靶基距5cm，激光能量4.5J/cm2—5.5J/cm2，激光频率2Hz，激光脉冲次数5000下；
(3)将步骤(2)中制备的氧化镓薄膜用掩膜板遮挡，采用射频磁控溅射方法溅射一层厚度为150nm、直径为200μm的Pt点电极作为上电极，溅射工艺条件如下：本底真空小于10-4Pa，衬底温度室温，工作气氛为Ar气，工作气压为0.8Pa,溅射功率为40W，溅射时间为5min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江理工大学，未经浙江理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410706693.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
