[发明专利]一种微结构绒面多晶硅太阳能电池制作工艺

权利要求书

1.一种微结构绒面多晶硅太阳能电池制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：

⑴采用H₂O₂与水的混合溶液对制绒前的硅片进行预清洗；

⑵将清洗后的硅片利用硝酸、氢氟酸、异丙醇及水混合的腐蚀液进行腐蚀制绒，反应温度为3～20℃，反应时间为2～10min，所述腐蚀液中硝酸的质量百分比为5%～60%，氢氟酸的质量百分比为4%～50%，异丙醇的质量百分比为5%～40%，余量为水；

⑶表面腐蚀制绒后的硅片通过氢氧化钠与水混合的表面处理液进行表面处理；

⑷对硅片表面残余的液体进行中和清洗，随后进行烘干，即可得到微结构绒面的硅片；

⑸将制得的微结构绒面硅片进行扩散处理，扩散采用三氯氧磷作为扩散源，反应温度为700～900℃，气体浓度为100～1000sccm，反应时间为30～100min；

⑹将上述制得的微结构硅片进行去PSG处理，采用氢氟酸与水的混合溶液进行处理，混合溶液中氢氟酸的质量百分比为4%～50%，反应温度为5～20℃，反应时间为2～10min；

⑺在去除PSG的微结构绒面硅片上制备减反射膜；

⑻在硅片上安装上下电极即可得到微结构绒面的太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的微结构绒面多晶硅太阳能电池制作工艺，其特征在于：所述的预清洗液体中的H₂O₂的质量百分比为5%～60%，预清洗温度为10～80℃，预清洗时间为2～40min。

3.根据权利要求1所述的微结构绒面多晶硅太阳能电池制作工艺，其特征在于：所述的表面处理液体中氢氧化钠的质量百分比为10%～60%，此工序反应温度为20～70℃，反应时间为2～10min。

4.根据权利要求1所述的微结构绒面多晶硅太阳能电池制作工艺，其特征在于：所述减反射膜的制备以SiH₄和NH₃为反应气体，沉积温度为300-500℃，沉积压强为0.02 mbar -0.2mbar，功率为2500～5000W，时间为15～40min ，SiH₄和NH₃的体积比为1:1～1:3。

5.根据权利要求1所述的微结构绒面多晶硅太阳能电池制作工艺，其特征在于：所述的微结构硅片的上下电极制备选用银浆、铝浆作为反应原料，反应温度为200～1000℃，反应时间为5～20min。