[发明专利]一种用于医疗电子的运算放大器

权利要求书

1.一种用于医疗电子的运算放大器，包括依次连接的偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路，其特征在于，在第一级到第三级放大电路上连接一个补偿电容Cc，该补偿电容Cc一端连接运算放大器输出端，另一端连接在第一级放大电路的输出管栅极。

2.根据权利要求1所述的运算放大器，其特征在于，所述的偏置电路包括：PMOS管M_P11和外部恒定偏置电流源I_B；

PMOS管M_P11的源极连接电源电压V_DD，PMOS管M_P11的栅极连接到外部恒定偏置电流源IB，PMOS管M_P11的栅极、漏极和PMOS管M_P2的栅极均相连接，用于生成PMOS管的恒定偏置电压V_BP；

所述的第一级放大电路包括：PMOS管M_P1、PMOS管M_P2、PMOS管M_P3、PMOS管M_P4、PMOS管M_P5、PMOS管M_P6、PMOS管M_P7，NMOS管M_N1、NMOS管M_N2、NMOS管M_N3、NMOS管M_N4和第一补偿电容Cc；

PMOS管M_P1、PMOS管M_P2、PMOS管M_P3、PMOS管M_P6、PMOS管M_P7的源极分别连接电源电压V_DD；

PMOS管M_P1的栅极、PMOS管M_P2的栅极、PMOS管M_P3的栅极与外部恒定偏置电压源IB相连接；

PMOS管M_P1的漏极、PMOS管M_P4源极、PMOS管M_P5源极相连接；

PMOS管M_P2的漏极、PMOS管M_P4的漏极、NMOS管M_N1的漏极、NMOS管M_N1的栅极、NMOS管M_N4的栅极与补偿电容Cc一端相连接；

PMOS管M_P3的漏极、PMOS管M_P5的漏极、NMOS管M_N2的漏极、NMOS管M_N2的栅极、NMOS管M_N3的栅极，以及第二放大器中NMOS管M_N6的栅极相连接；

NMOS管M_N3的漏极与PMOS管M_P6的栅极、PMOS管M_P6的漏极、PMOS管M_P7的栅极相连接；

NMOS管M_N4的漏极与PMOS管M_P7的漏极、第二级放大器中的PMOS管M_P8的栅极、PMOS管M_P9的栅极相连接；

NMOS管M_N1的源极、NMOS管M_N2的源极、NMOS管M_N3的源极、NMOS管M_N4的源极分别接地；

所述的第二级放大器包括PMOS管M_P8、PMOS管M_P9和NMOS管M_N5、NMOS管M_N6；

PMOS管M_P8的栅极与PMOS管M_P9的栅极相连接，再与PMOS管M_P7的漏极、以及第一放大器中NMOS管M_N4的漏极相连接；

PMOS管M_P8的漏极、NMOS管M_N5的漏极、NMOS管M_N5的栅极、第三级放大器中NMOS管M_N7的栅极相连接；

PMOS管M_P8、PMOS管M_P9的源极分别连接到电源电压V_DD；

PMOS管M_P9的漏极、NMOS管M_N6的漏极、第三级放大器中PMOS管M_P10的栅极相连接；

NMOS管M_N6的栅极与第一放大器中PMOS管M_P3的漏极、PMOS管M_P5的漏极、NMOS管M_N2的漏极、NMOS管M_N2的栅极、NMOS管M_N3的栅极相连接；

NMOS管M_N5、NMOS管M_N6的源极分别接地；

所述的第三级放大器包括PMOS管MP₁₀和NMOS管M_N7；

PMOS管M_P10的源极连接到电源电压V_DD；

PMOS管M_P10的栅极与第二级放大器中PMOS管M_P9的漏极、NMOS管M_N6的漏极相连接；

PMOS管M_P10的漏极与NMOS管M_N7的漏极、第一补偿电容Cc另一端相连接入到运算放大器的输出端V_OUT。