[发明专利]低噪声放大器有效
| 申请号： | 201410707087.6 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105656433B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李欣;王子珺;苑乔;邹光南 | 申请（专利权）人： | 航天恒星科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京智为时代知识产权代理事务所(普通合伙) 11498 | 代理人： | 王加岭;杨静 |
| 地址： | 100086*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种低噪声放大器，包括：
输入匹配模块，所述的输入匹配模块由NMOS管和PMOS管构成，以及位于输出节点和输入节点之间的反馈电阻；
噪声消除模块，与所述输入匹配模块级联，包括由NMOS管和PMOS管构成共源放大器，以及由PMOS管构成的电流镜；
输入阻抗为：
其中，Rf1为反馈电阻阻值，A为输入级电压增益，gmn和gmp分别表示NMOS管和PMOS管的跨导；
输出节点的噪声为同增益反相叠加，满足
其中，gmn1与gmn2分别为NMOS管Mn1与Mn2的跨导，Noise(V-)与Noise(V+)分别表示V-结点与V+结点的噪声，参数k为电流镜PMOS管的宽长比的比值，即
为电流镜的比例系数，其中Lp1、Lp2与Wp1、Wp2分别Mp1与Mp2的栅长及栅宽；一般电流镜取相同的栅长，即Lp1＝Lp2。
2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，其中所述的输入匹配模块由输入NMOS管的Mn1、Mn2与输入PMOS管Mp1、Mp2构成，并由反馈电阻Rf、Rf2实现匹配。
3.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配模块被配置成具有差分结构的输入匹配模块。
4.如权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，所述的噪声消除模块被配置成具有差分结构的噪声消除模块。
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