[发明专利]套准标记及其形成方法

权利要求书

1.一种套准标记的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括标记区；

在所述标记区的衬底中形成多个条形浅沟槽隔离结构，所述多个条形浅沟槽隔离结构之间的衬底用于组成第一光栅，所述多个条形浅沟槽隔离结构作为第一光栅的狭缝；

在所述标记区的衬底上形成多个栅条，所述栅条位于相邻两个条形浅沟槽隔离结构之间的衬底上方，在所述多个栅条之间形成间隔层，所述间隔层位于条形浅沟槽隔离结构上方，所述多个栅条组成第二光栅，所述多个栅条之间的间隔层作为第二光栅的狭缝。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述条形浅沟槽隔离结构和间隔层的材料为氧化硅，所述栅条的材料为多晶硅。

3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，所述条形浅沟槽隔离结构的厚度在0.01到0.13微米的范围内，或者，条形浅沟槽隔离结构的厚度在0.22到0.35微米到范围内。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述多个栅条之间形成间隔层的步骤包括：在所述多个栅条上覆盖间隔材料层，对所述间隔材料层进行化学机械研磨，直到露出多个栅条的上表面，剩余位于多个栅条之间的间隔材料层形成间隔层。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：在所述衬底上形成多个栅条和间隔层之后，在所述多个栅条和间隔层上形成介质层。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述多个栅条和间隔层上形成介质层的步骤包括：

在所述多个栅条和间隔层上依次形成钝化层、硬掩模层以及底部抗反射层。

7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述的形成方法还包括：

在所述标记区的衬底的介质层上形成多个条状图形，所述多个条状图形组成第三光栅，所述多个条状图形之间的空间作为第三光栅的狭缝；所述第三光栅与第二光栅在衬底上的投影相邻，并且多个栅条与多个条状图形在衬底上的投影沿同一方向延伸。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述条状图形与所述栅条在衬底上的投影在延伸方向上对齐。

9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述多个条状图形的宽度在600纳米到800纳米的范围内。

10.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括用于形成半导体器件的器件区，所述半导体器件包括栅极和和栅极上方的光阻图形，所述光阻图形具有位于栅极上方的开口，所述开口用于形成栅极上的通孔；

所述第二光栅和第三光栅用于测量栅极与栅极上方通孔的套刻精度，所述第二光栅的多个栅条和所述栅极同步形成，所述第三光栅和光阻图形同步形成。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述条形浅沟槽隔离结构和间隔层的宽度相等。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述多个栅条的间距在400纳米到600纳米的范围内，多个栅条的宽度分别在600纳米到800纳米的范围内。

13.一种套准标记，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括标记区；

位于所述标记区的衬底中的多个条形浅沟槽隔离结构，所述多个条形浅沟槽隔离结构之间的衬底用于组成第一光栅，所述多个条形浅沟槽隔离结构作为第一光栅的狭缝；

位于所述标记区的衬底上的多个栅条，所述栅条位于相邻两个条形浅沟槽隔离结构之间的衬底上方，在所述多个栅条之间具有间隔层，所述多个栅条组成第二光栅，所述多个栅条之间的间隔层作为第二光栅的狭缝。