[发明专利]一种基于变换介质的光子晶体弯折波导结构

权利要求书

1.一种基于变换介质的光子晶体弯折波导结构，包括光子晶体直角波导、外围隔离层(PEC)，该光子晶体直角波导的周边设置有外围隔离层(PEC)，其特征在于，所述光子晶体直角波导由光子晶体波导区域(ABEF)、变换光子晶体波导1区域(ABC’)和变换光子晶体波导2区域(AC’D’)构成，其中：所述变换光子晶体波导1区域(ABC’)和变换光子晶体波导2区域(AC’D’)分别为背景介质的三角区域，所述光子晶体波导区域(ABEF)变换到背景介质的三角区域，由此构成光子晶体波导弯折空间区域；其中：

所述光子晶体波导区域(ABEF)为相对介电常数ε_d＝11.0的GaAs介质圆柱呈周期性排列构成的正方晶格，该正方晶格的常数设为a，该GaAs介质圆柱的占空比πr²/a²设为0.25；

所述变换光子晶体波导1区域(ABC’)的介电常数为：磁导率参数为其中：A为光子晶体波导区域(ABC)到变换光子晶体波导1区域(ABC’)的空间变换Jacobian矩阵，ε_d为光子晶体波导区域(ABEF)中GaAs介质柱的相对介电常数，μ_d为光子晶体波导区域(ABEF)中GaAs介质柱的磁导率参数；

所述变换光子晶体波导2区域(AC’D’)的介电常数为：磁导率参数为：其中：B为光子晶体波导区域(ACD)到变换光子晶体波导2区域(AC’D’)的空间变换Jacobian矩阵，ε_d为光子晶体波导区域(ABEF)中GaAs介质柱的相对介电常数，μ_d为光子晶体波导区域(ABEF)中GaAs介质柱的磁导率参数。

2.根据权利要求1所述的一种基于变换介质的光子晶体弯折波导结构，其特征在于所述外围隔离层(PEC)的材质为铜导体或者银导体。