[发明专利]进气装置及半导体加工设备有效
申请号: | 201410709297.9 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN105695957B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 田成益;刘海鹰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/02;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 半导体 加工 设备 | ||
1.一种进气装置,用于向反应腔室内输送工艺气体,其特征在于,所述进气装置包括装置本体和一个或多个进气管,所述装置本体内设置有未贯穿其下表面的主进气通道,所述主进气通道与工艺气源相连通;
每个所述进气管的进气端贯穿所述装置本体的侧壁与所述主进气通道相连通,每个所述进气管朝向所述装置本体侧壁外侧延伸,且每个所述进气管的出气端远离所述装置本体,所述工艺气源提供的工艺气体自所述主进气通道和所述进气管输送至反应腔室内,以使所述反应腔室内的工艺气体趋于均匀;所述进气管的出气端沿水平方向延伸。
2.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,在所述主进气通道的底面上设置有至少一个通孔,以使工艺气体经由所述主进气通道和所述通孔输送至所述反应腔室内。
3.根据权利要求2所述的进气装置,其特征在于,所述通孔的数量为一个,所述通孔设置在所述主进气通道底面的中心位置。
4.根据权利要求2所述的进气装置,其特征在于,多个所述通孔沿所述主进气通道底面的周向间隔形成多个通孔组,每个通孔组包括沿所述主进气通道底面的半径上均匀设置的多个通孔。
5.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,每个所述进气管沿水平方向延伸。
6.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,在所述进气管与所述装置本体相接触的位置处设置有密封件,用以密封二者之间的间隙。
7.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,多个所述进气管沿所述装置本体的周向间隔设置。
8.根据权利要求7所述的进气装置,其特征在于,多个所述进气管沿所述装置本体的周向间隔且均匀设置。
9.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,多个所述进气管中,每个所述进气管的长度相等,或者,部分所述进气管的长度相等,或者,每个所述进气管的长度不相等。
10.根据权利要求1所述的进气装置,其特征在于,所述装置本体和/或所述进气管采用石英材料制成。
11.一种半导体加工设备,包括反应腔室和进气装置,所述进气装置用于向反应腔室内输送工艺气体,其特征在于,所述进气装置采用权利要求1-10任意一项所述的进气装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的