[发明专利]一种高压芯片LED结构及其制作方法

权利要求书

1.一种高压芯片LED结构制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成发光半导体层，所述发光半导体层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

刻蚀所述发光半导体层形成若干阶梯型通孔，所述阶梯型通孔包括凹槽以及与所述凹槽连通的隔离槽，所述凹槽暴露所述N型半导体层的表面，所述隔离槽暴露所述衬底的表面，所述凹槽的截面宽度大于所述隔离槽的截面宽度，所述阶梯型通孔将发光半导体层分割成若干分离的独立发光半导体层；

在所述P型半导体层以及阶梯型通孔的内壁上形成绝缘薄膜，并刻蚀所述绝缘薄膜同步形成阻挡层、腐蚀辅助层和侧壁过度保护层，所述阻挡层以及腐蚀辅助层均位于所述P型半导体层上且所述腐蚀辅助层呈环状包围所述阻挡层，所述侧壁过度保护层覆盖所述凹槽的侧壁以及隔离槽的侧壁及底壁并与所述腐蚀辅助层连接；

在所述P型半导体层、N型半导体层、阻挡层、腐蚀辅助层和侧壁过度保护层上形成接触薄膜，刻蚀去除所述腐蚀辅助层和侧壁过度保护层上的接触薄膜形成接触层；

刻蚀去除所述腐蚀辅助层和侧壁过度保护层；

在每个独立发光半导体层的隔离槽内填充隔离层；

在每个独立发光半导体层的阻挡层上方的接触层上形成第一电极，在每个独立发光半导体层的阶梯型通孔内的接触层上形成第二电极，并将部分相邻的独立发光半导体层的第二电极和第一电极电连接形成串联结构；

在所述独立发光半导体层所有暴露的表面上形成钝化保护层，所述钝化保护层具有暴露所述串联结构中为首的独立发光半导体层上的第一电极和为尾的独立发光半导体层上的第二电极的引线孔。

2.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，通过动态刻蚀工艺在所述发光半导体层中形成隔离槽，所述动态刻蚀工艺包括：

步骤一：所述衬底静止于刻蚀机台的反应腔体内，采用感应耦合等离子体对发光半导体层执行刻蚀工艺；

步骤二：终止感应耦合等离子体刻蚀工艺，所述衬底发生对称性运动，所述对称性运动是指所述衬底每次刻蚀后转动一定角度；

重复上述步骤一和步骤二直至形成所述隔离槽。

3.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，在形成串联结构之后、形成所述钝化保护层之前，还包括：对发光半导体层的表面及阶梯型通孔的侧壁进行等离子处理。

4.如权利要求3所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，所述等离子体为笑气等离子体或氧气等离子体。

5.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，所述侧壁过度保护层还延伸至所述凹槽底壁的部分区域。

6.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，在所述P型半导体层、阻挡层、腐蚀辅助层和侧壁过度保护层上形成接触薄膜后形成光刻胶层，所述光刻胶层暴露所述腐蚀辅助层和侧壁过度保护层上的接触薄膜，以所述光刻胶层为掩膜刻蚀去除所述腐蚀辅助层和侧壁过度保护层上的接触薄膜形成接触层。

7.如权利要求6所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，形成接触层时所采用的光刻胶层，在形成接触层后保留下来作为去除腐蚀辅助层和侧壁过度保护层的掩膜层，填充隔离层之前去除所述光刻胶层。

8.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，所述隔离层为环氧基光刻胶、丙烯酸基光刻胶、SOG或聚酰亚胺中的至少一种。

9.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，所述接触层的材料为ITO。

10.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，形成所述独立发光半导体层的第一电极和第二电极的同时形成电极连接层，部分相邻的独立发光半导体层的第二电极和第一电极通过所述电极连接层电连接形成串联结构。

11.如权利要求1所述的高压芯片LED结构制作方法，其特征在于，所述隔离层还覆盖相邻的独立发光半导体层的P型半导体层的部分表面。