[发明专利]制造显示装置的方法

权利要求书

1.一种制造显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

设置基底；

在基底上形成半导体层；

在半导体层上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成金属层；

在金属层上形成第二绝缘层；

在第二绝缘层上形成蚀刻缓冲层；

在蚀刻缓冲层上形成感光膜图案；

蚀刻蚀刻缓冲层以及第一绝缘层和第二绝缘层以暴露半导体层；以及

去除蚀刻缓冲层，

其中，蚀刻步骤包括：第一蚀刻，蚀刻蚀刻缓冲层以暴露第二绝缘层；第二蚀刻，在暴露第二绝缘层之后，蚀刻第一绝缘层和第二绝缘层以暴露半导体层，其中，在执行第二蚀刻之前第二绝缘层的被暴露的宽度与在执行第二蚀刻之后半导体层的被暴露的宽度相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻缓冲层包含Al或ITO。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻缓冲层的厚度在30nm至50nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，被暴露的半导体层的宽度在1.8μm至2.1μm的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一蚀刻执行为湿法蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二蚀刻执行为干法蚀刻。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在蚀刻之后，去除感光膜图案。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在去除感光膜图案之后，执行退火工艺。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在退火工艺之后，执行蚀刻缓冲层的去除。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，通过利用缓冲氧化物蚀刻剂来执行蚀刻缓冲层的去除。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一绝缘层、第二绝缘层和金属层交替地形成为多个层。