[发明专利]基板处理装置及方法在审
申请号: | 201410710702.9 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104934347A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | 金泰勋 | 申请(专利权)人: | PSK有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 姜燕;王卫忠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于处理基板的装置及方法,更详细而言,本发明涉及一种利用电浆处理基板的装置及方法。
背景技术
经过了前道处理(FEOL:Front End Of Line)工序的基板,其厚度超过所需要厚度以上,因而需要经由背面研磨(Back Grinding)工序而变薄。然而,背面研磨工序后的基板的厚度过薄,基板不容易操作(Handling)。因此,为基板操作,利用接合剂将载体附着于基板。载体在作为后续工序的基板黏接(Chip Bonding)、底部填充(Underfill)、成型(Molding)工序后去除。
去除载体后,基板在附着于框架环上所固定的安装用带的状态下进行操作。安装用带不仅使得基板的操作容易,而且在基板分离为个别芯片时防止芯片散开。
在去除载体的基板上,接合剂去除不完全而留下一部分。残余接合剂不容易去除。
发明内容
本发明的实施例提供一种能够在去除载体后容易地去除基板上残留的接合剂的基板处理装置及方法。
另外,本发明的实施例提供一种能够在电浆处理所需的真空形成期间防止基板的扭曲(Warpage)现象的基板处理装置及方法。
另外,本发明的实施例提供能够在基板的扭曲(Warpage)现象防止期间缩短工序时间的基板处理装置及方法。
本发明的目的不限定于此,未提及的其它目的为熟习此项技术者能够根据以下记载而明确理解的。
本发明提供基板处理装置。根据一个实施例,基板处理装置包括:索引模块及处理模块;且索引模块具有:加载端口,其放置容纳有处理对象物的容器;框架,其配置在容器与处理模块之间搬送处理对象物的索引机器人;处理模块具有:工序处理腔室,其以电浆处理来处理对象物;空气排出腔室,其对处理对象物内的空气进行排出处理。
处理对象物包括:框架环;固定于框架环的内侧面的安装用带;以及附着于安装用带的顶部的基板。
空气排出腔室借助减压而对处理对象物内的空气进行排出处理。
进一步包括控制工序处理腔室及空气排出腔室内的减压的控制器;且控制器比工序处理腔室内的减压速度更慢地控制空气排出腔室内的减压速度。
工序处理腔室在第一压力下以电浆处理处理对象物,控制器控制使得空气排出腔室内的压力减压至第一压力。
空气排出腔室提供来容纳多个处理对象物。
另外,基板处理装置进一步可包括装载互锁腔室,其在处理对象物于空气排出腔室及工序处理腔室与索引模块间搬送时,供处理对象物临时逗留。
本发明提供基板处理方法。根据一个实施例,基板处理方法在真空下对包括框架环、安装于框架环的内侧面的安装用带及附着于安装用带顶部的基板的处理对象物进行工序处理,该方法包括:使束缚于安装用带与基板之间的空气排出的步骤;利用电浆处理排出该空气的处理对象物的步骤。
使空气排出的步骤借助减压而实现,该减压针对多个处理对象物而同时实现。
利用电浆处理处理对象物的步骤在第一腔内实现;使空气排出的步骤在与第一腔相异的第二腔内实现。
减压比第一腔内的减压速度更慢地实现。
本发明的实施例能够容易地去除利用电浆去除载体后在基板上残留的接合剂。
根据本发明的实施例,在电浆处理所需的真空形成期间,以缓慢的速度减压来防止基板的扭曲(Warpage)现象。
另外,根据本发明的实施例,一次性去除束缚于多个处理对象物的空气从而缩短工序时间。
附图说明
图1为简要示出了本发明的一个实施例的基板处理装置的俯视图。
图2是示出了提供给图1的基板处理装置的处理对象物的立体图。
图3至图9是依次示出了制作图2的处理对象物的过程的图。
图10是示出了图1的空气排出设备的剖面图。
图11是示出了图10的基板夹持器及升降驱动部的剖面图。
图12是示出了图1的装载互锁腔室的剖面图。
图13是示出了包括控制器的基板处理装置的一部分的俯视图。
图14是示出了本发明的另一实施例的基板处理装置的一部分的俯视图。
图15是示出了本发明的又一实施例的基板处理装置的俯视图。
图16是简要示出了本发明的基板处理方法的顺序图。
图17是示出了图16的基板处理方法中处理对象物搬送路径的图。
其中,附图标记的说明如下:
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7步骤
1基板处理装置
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造