[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，包括：

衬底处理室，对衬底进行处理；

气体供给部，在对衬底处理时向所述衬底交替供给多种处理气体；

衬底保持部，具有保持所述衬底的背面的一部分的保持机构、和支承所述保持机构的支承部；

加热部，从背面加热所述衬底；

待机室，供所述衬底保持部待机；以及

控制部，控制所述气体供给部及所述气体排气部中的任意一方或双方，以使所述衬底处理室的压力高于所述待机室的压力。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

包括：

净化气体供给部，在所述衬底保持部位于衬底处理位置的状态下供给净化气体；以及

待机室惰性气体供给部，向所述待机室供给惰性气体。

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部被构成为：在从所述净化气体供给部开始净化气体的供给之后，从所述气体供给部开始供给第一处理气体或第二处理气体。

4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部被构成为：从所述气体供给部供给第一处理气体或第二处理气体，并从所述净化气体供给部供给净化气体，经过了规定的时间后，停止所述第一处理气体或所述第二处理气体的供给，然后减少所述净化气体供给部的供给量。

5.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部被构成为：从所述气体供给部供给第一处理气体或第二处理气体，并从所述净化气体供给部供给净化气体而形成第一膜，

在形成了所述第一膜之后，停止所述第一处理气体或所述第二处理气体的供给，并继续所述净化气体的供给，从所述处理室净化所述第一处理气体或所述第二处理气体，

在从所述处理室将所述第一处理气体或所述第二处理气体净化后，增加所述净化气体的供给量，其后，开始供给与形成所述第一膜的气体不同的气体。

6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，

所述控制部被构成为：在从所述处理室将所述第一处理气体或所述第二处理气体净化后，开始供给与形成所述第一膜的气体不同的气体，然后从所述待机室惰性气体供给部向所述待机室供给惰性气体。

7.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：

衬底保持部将衬底从待机室输送到处理室；

在从背面加热所述衬底的同时，在使所述处理室的压力高于所述待机室的压力的状态，向处理室交替供给多种处理气体。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，

包括在所述衬底保持部位于衬底处理位置的状态下向所述处理室供给净化气体的工序。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，

包括在开始了供给所述净化气体的工序之后，供给第一处理气体或第二处理气体的工序。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，

包括如下工序：

在供给第一处理气体或第二处理气体的同时供给净化气体；和

从供给所述净化气体的工序起经过了规定的时间后，停止所述第一处理气体或所述第二处理气体的供给，然后减少所述净化气体的供给量。

11.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，

包括如下工序：

供给第一处理气体或第二处理气体的同时供给净化气体而形成第一膜；

在形成所述第一膜的工序之后，停止所述第一处理气体或所述第二处理气体的供给，并继续所述净化气体的供给，将所述第一处理气体或所述第二处理气体从所述处理室净化；以及

在所述净化工序后，增加所述净化气体的供给量，其后，供给与形成所述第一膜的气体不同的气体。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，

包括如下工序：在所述净化工序之后，开始供给与形成所述第一膜的气体不同的气体后，向所述待机室供给惰性气体。