[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其包括基底、设置于该基底上的栅极、覆盖该栅极及该基板的栅极绝缘层、设置于该栅极绝缘层上且对应于该栅极上方的有源层、蚀刻阻挡层、位于该蚀刻阻挡层上的源极与漏极、及覆盖该薄膜晶体管的一钝化层，该蚀刻阻挡层覆盖该有源层及该栅极绝缘层，其特征在于，该蚀刻阻挡层包括第一部分及第二部分，该第一部分位于该有源层的上方并完全覆盖该有源层，该第二部分位于该第一部分的至少一侧，并设置于该栅极绝缘层上，该第一部分及该第二部分的分界为该蚀刻阻挡层沿该有源层的边缘向下开始弯折处，且该第二部分的最高点与该第一部分的最高点处于同一水平线上，该第一部分的厚度小于该第二部分的厚度。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该第一部分与该第二部分相连接。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该蚀刻阻挡层的材质为光致抗蚀剂。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该第一部分对应该有源层的位置上开设有第一通孔及第二通孔，该源极及该漏极分别通过该第一通孔及该第二通孔与该有源层电性连接。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该薄膜晶体管还包括电极层，该电极层位于该钝化层上，该钝化层与该漏极对应的位置还开设有接触孔，该接触孔贯穿该钝化层直至暴露该漏极，该电极层通过该接触孔与该漏极相连接。

6.一种薄膜晶体管的制作方法,其包括如下步骤：

提供一基底，并在该基底上形成一栅极；

形成一栅极绝缘层以覆盖该基板和该栅极；

在该栅极绝缘层上形成一有源层并图案化该有源层，使该有源层正对该栅极的位置；

形成覆盖该栅极绝缘层和该有源层的蚀刻阻挡层；

对该蚀刻阻挡层进行蚀刻，使该蚀刻阻挡层形成位于该有源层上方且完全覆盖该有源层的第一部分，及位于该第一部分的至少一边的第二部分，该第二部分设置于该栅极绝缘层上，该第一部分及该第二部分的分界为该蚀刻阻挡层沿该有源层的边缘向下开始弯折处，该第二部分的最高点与该第一部分的最高点处于同一水平线上，该第一部分的厚度小于该第二部分的厚度；

于图案化后的该蚀刻阻挡层上形成源极、漏极及钝化层。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该源极及该漏极是通过在该蚀刻阻挡层上沉积一金属层并图案化该金属层得到的。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该蚀刻阻挡层的材质为光致抗蚀剂。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该第一部分对应该有源层的位置上开设有第一通孔及第二通孔，该源极及该漏极分别通过该第一通孔及该第二通孔与该有源层电性连接。

10.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，在形成该钝化层后，在该钝化层上与该漏极对应的位置开设一接触孔，并在该钝化层上形成一电极层，该电极层通过该接触孔与该漏极电连接。

11.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该第一部分及该第二部分是通过在该蚀刻阻挡层上铺设第一光致抗蚀剂，然后利用灰阶掩膜对该蚀刻阻挡层蚀刻得来的。

12.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该第一部分与该第二部分相连接。