[发明专利]一种基于自组装单分子层的钙钛矿平面异质结太阳电池在审

专利信息
申请号: 201410711919.1 申请日: 2014-11-30
公开(公告)号: CN104465992A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 陈红征;左立见;顾卓韦 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林超
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 组装 单分子层 钙钛矿 平面 异质结 太阳电池
【权利要求书】:

1. 一种基于自组装单分子层的钙钛矿平面异质结太阳电池,包括自下而上的基底(1)、透明金属电极层(2)、无机电子传输层(3)、光敏层(5)、空穴传输层(6)和金属电极层(7);其特征在于:所述无机电子传输层(3)和光敏层(5)之间设有自组装单分子层(4),自组装单分子层(4)为两端分别是碱性端基和酸性端基的直碳链有机分子。

2. 根据权利要求1所述的一种基于自组装单分子层的钙钛矿平面异质结太阳电池,其特征在于:所述的自组装单分子层(4)的化学组成为两端分别为胺基和羧基的有机分子,除端基外的碳链含1~8个碳原子。

3. 根据权利要求1所述的一种基于自组装单分子层的钙钛矿平面异质结太阳电池,其特征在于:所述的无机电子传输层(3)的材料为氧化锌、氧化钛、硫化镉或硒化镉。

4. 根据权利要求1所述的一种基于自组装单分子层的钙钛矿平面异质结太阳电池,其特征在于:所述的透明金属电极层(2)的材料为氧化铟锡、氟掺氧化锡。

5. 根据权利要求1所述的一种基于自组装单分子层的钙钛矿平面异质结太阳电池,其特征在于:所述的光敏层(5)的化学结构通式为CH3NH3PbI3?xBrx或CH3NH3PbI3?xClx,其中0≤x≤3。

6. 根据权利要求1所述的一种基于自组装单分子层的钙钛矿平面异质结太阳电池,其特征在于:所述的空穴传输层(6)为由2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、二(三氟甲基磺酰)锂和4-叔丁基吡啶组成的混合物,厚度为100-500nm。

7. 根据权利要求1所述的一种基于自组装单分子层的钙钛矿平面异质结太阳电池,其特征在于:所述的金属电极层(7)的材料为三氧化钼、银、铝、镁、铜、金、氧化铟锡或氟掺氧化锡,厚度为10-300nm。

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