[发明专利]具有点接触结构的太阳电池器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于，它具有衬底(1)、发射极(2)和背电极(3)，发射极(2)与衬底(1)之间以点接触结构构成欧姆连接，发射极(2)的其余部分和衬底(1)之间设置有本征非晶硅层(4)，背电极(3)与衬底(1)之间也以点接触结构构成欧姆连接，背电极(3)的其余部分与衬底(1)之间也设置有本征非晶硅层(4)。

2.根据权利要求1所述的具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于：还包括正面透明导电膜层(5)、背面透明导电膜层(6)、正面金属栅极(7)和背面金属栅极(8)，正面透明导电膜层(5)沉积在发射极(2)的上表面上，正面金属栅极(7)设置在正面透明导电膜层(5)的上表面上，背面透明导电膜层(6)沉积在背电极(3)的下表面上，背面金属栅极(8)设置在背面透明导电膜层(6)的下表面上，发射极(2)上在位于正面金属栅极(7)的正下方相应的部位与衬底(1)之间以点接触结构构成欧姆连接，背电极(3)上在位于背面金属栅极(8)的正上方相应的部位与衬底(1)之间也以点接触结构构成欧姆连接。

3.根据权利要求2所述的具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于：所述的衬底(1)为N型晶体硅，所述的发射极(2)为p-a-Si：H，所述的背电极(3)为n-a-Si：H。

4.根据权利要求2所述的具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于：所述的衬底(1)为P型晶体硅，所述的发射极(2)为n-a-Si：H，所述的背电极(3)为p-a-Si：H。

5.根据权利要求2或3或4所述的具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于：所述的正面透明导电膜层(5)和/或背面透明导电膜层(6)为TCO膜。

6.根据权利要求2或3或4所述的具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于：所述的正面金属栅极(7)和/或背面金属栅极(8)为银栅极。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于：所述的点接触结构的点的宽度30微米～100微米。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的具有点接触结构的太阳电池器件结构，其特征在于：所述的本征非晶硅层(4)的厚度为3nm～15nm，所述的发射极(2)的厚度为3nm～20nm，所述的背电极(3)的厚度为3nm～20nm。

9.一种如权利要求1至8中任一项所述的具有点接触结构的太阳电池器件结构的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：

(a)提供一经过前置处理后的衬底(1)；

(b)在衬底(1)的背面施加点状掩体，然后在其背面的其余部分沉积本征非晶硅层(4)；

(c)在衬底(1)的正面施加点状掩体，然后在其正面的其余部分沉积本征非晶层(4)；

(d)去除两面的点状掩体，再分别沉积背电极(3)和发射极(2)，使背电极(3)与衬底(1)之间以点接触结构构成欧姆连接，发射极(2)与衬底(1)之间也以点接触结构构成欧姆连接。